上海华虹宏力半导体制造有限公司沈坚获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利图形硅片在外观设备上的缺陷定位方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119492738B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411510042.X，技术领域涉及：G01N21/88；该发明授权图形硅片在外观设备上的缺陷定位方法是由沈坚;王侃;刘佳亮设计研发完成，并于2024-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本图形硅片在外观设备上的缺陷定位方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种图形硅片在外观设备上的缺陷定位方法。针对小尺寸die产品，利用合并die的方法进行缺陷检测获得缺陷图，缺陷图上的每个量测区域由p*q个合并的die区域构成；利用量测设备观测缺陷图，在缺陷图上标记出标定对准点位Ax1,y1和Bx2,y2，标定对准点位处包括多个疑似原点；利用几何关系判断标定对准点位A和B处的每个疑似原点是否为真实原点。本发明的方法低精度设备可再利用，减少设备升级支出并降低公司运作成本；精度提升，效率提升，合并die原点的确认不用再借助缺陷定位。
本发明授权图形硅片在外观设备上的缺陷定位方法在权利要求书中公布了：1.一种图形硅片在外观设备上的缺陷定位方法，其特征在于，至少包括： 步骤一、利用合并die的方法进行缺陷检测获得缺陷图，缺陷图上的每个量测区域由p*q个合并的die区域构成； 步骤二、利用量测设备观测缺陷图，在缺陷图上标记出标定对准点位Ax1,y1和Bx2,y2，标定对准点位处包括多个疑似原点； 步骤三、通过计算各所述疑似原点与一起始die角坐标的距离偏差值来判断标定对准点位A和B处的每个疑似原点是否为真实原点，其中，任一合并die角坐标与起始die角坐标的距离为die的倍数关系，通过所述偏差值的大小判断所述疑似原点是否为真实原点。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海华虹宏力半导体制造有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区祖冲之路1399号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励