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龙图腾网获悉西北工业大学申请的专利一种具有低并且稳定暗电流的FAPbBr3异质结晶体制备方法及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119497545B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411627163.2，技术领域涉及：H10K71/00；该发明授权一种具有低并且稳定暗电流的FAPbBr3异质结晶体制备方法及应用是由徐亚东;王童阳;刘欣;白蕊沉设计研发完成，并于2024-11-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有低并且稳定暗电流的FAPbBr3异质结晶体制备方法及应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有低并且稳定暗电流的FAPbBr3异质结晶体制备方法及应用，涉及半导体异质结技术领域。所述方法包括制备FAPbBr3单晶；将FABr、PbBr2、PbCl2溶解于有机溶剂中，得到外延层前驱体溶液；将外延层前驱体溶液过滤，得到滤液；将滤液密封后置于水浴中，加热至33~36℃，再加入FAPbBr3单晶后，继续密封并加热至43~46℃，得到具有低并且稳定暗电流的FAPbBr3异质结晶体。本发明能够有效抑制暗电流的针对FAPbBr3单晶的异质结外延生长工艺，进而获得同时对X射线和α粒子有良好辐射探测性能的辐射探测器件。

本发明授权一种具有低并且稳定暗电流的FAPbBr3异质结晶体制备方法及应用在权利要求书中公布了：1.一种具有低并且稳定暗电流的FAPbBr3异质结晶体制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 制备FAPbBr3单晶； 将FABr、PbBr2、PbCl2溶解于有机溶剂中，得到外延层前驱体溶液； 将外延层前驱体溶液过滤，得到滤液； 将滤液密封后置于水浴中，加热至33~36℃，再加入FAPbBr3单晶后，继续密封并加热至43~46℃，得到具有低并且稳定暗电流的FAPbBr3异质结晶体； 加入FAPbBr3单晶后，在33~36℃保持恒温1~2h； 所述继续密封并加热至43~46℃，是以0.6~0.8℃h的升温速率开始升温至43~46℃； 所述FABr与PbBr2+PbCl2的摩尔比为1:1； 所述PbBr2与PbCl2的摩尔比为0.8~0.95:0.05~0.2； 所述有机溶剂为体积比为1∶0.8~1的N-N二甲基甲酰胺和γ-戊内酯； 所述FAPbBr3单晶是按照以下步骤制得： 将FABr、PbBr2溶解于N-N二甲基甲酰胺DMF和γ-戊内酯GVL混合溶剂中，得到前驱体溶液；将前驱体溶液过滤，收集滤液，并用锥形瓶封口，随后放入水箱中，瓶口探出水面，确保所有前驱体溶液在水箱水面下，从室温升温，并以3~5℃day的升温速率开始升温至45~50℃，析出晶体；待晶体析出，取出晶体洗涤干燥，得到FAPbBr3单晶； 所述FABr是将乙酸甲脒与氢溴酸混合并且于80℃蒸馏而制得。

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