买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第五十五研究所申请的专利一种波导集成的三叠层石墨烯电光调制器制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119535822B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411964551.X，技术领域涉及：G02F1/03；该发明授权一种波导集成的三叠层石墨烯电光调制器制备方法是由曹正义;吴云;李忠辉;陶然;张广琦;古宸溢设计研发完成，并于2024-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种波导集成的三叠层石墨烯电光调制器制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种波导集成的三叠层石墨烯电光调制器制备方法，采用三叠层石墨烯电容结构，增强石墨烯与光的相互作用，可以在相同器件尺寸下提高器件调制效率，降低插损；第一石墨烯层和第三石墨烯层采用互联的设计，第三石墨烯层转移后采用真空退火工艺去除残留水，保障第三石墨烯层可以贴合在第一石墨烯层与介质层表面，简化器件控制电路，有利于器件小型化。

本发明授权一种波导集成的三叠层石墨烯电光调制器制备方法在权利要求书中公布了：1.一种波导集成的三叠层石墨烯电光调制器制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1、SOI衬底制备Si波导：利用平面光刻显影技术得到Si波导图形，利用干法刻蚀工艺，完成所述Si波导的刻蚀； 步骤2、Si波导表面平坦化：利用等离子增强化学气相沉积在Si波导表面生长SiO2层，再通过化学机械抛光技术进行Si波导表面抛光至其表面平坦； 步骤3、第一石墨烯层转移：采用湿法转移工艺，将第一石墨烯层转移到SiO2表面； 步骤4、第一石墨烯层图形化：在所述第一石墨烯层表面以平面光刻显影技术制备出隔离图形，再使用干法氧化，去除隔离图形区外的第一石墨烯层； 步骤5、介质层生长：使用原子层沉积工艺在第一石墨烯层表面生长介质层； 步骤6、第二石墨烯层转移及图形化，其工艺重复步骤3和步骤4； 步骤7、第一金属电极制备：在第二石墨烯层表面利用平面光刻显影技术制备出电极图形，所述电极图形位于第二石墨烯层图形边缘区域，蒸发后完成金属化，辅以溶胶剥离技术，制备得到第一金属电极； 步骤8、介质层生长：利用原子层沉积工艺在第二石墨烯层表面生长介质层； 步骤9、介质层开孔：在介质层表面利用平面光刻显影技术制备出开孔图形，所述开孔图形位于第一石墨烯层上方，采用湿法腐蚀工艺去除所述开孔图形下介质层至漏出第一石墨烯层表面； 步骤10、第三石墨烯层转移及图形化：其工艺重复步骤3，第三石墨烯层转移后采用真空高温退火工艺，后工艺重复步骤4； 步骤11、第二金属电极制备：在第三石墨烯层表面利用平面光刻显影技术制备得到电极图形，所述电极图形位于第三石墨烯层图形边缘区域，蒸发后完成金属化，辅以溶胶剥离技术，制备得到第二金属电极，完成石墨烯电光调制器的制备。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国电子科技集团公司第五十五研究所，其通讯地址为：210016 江苏省南京市秦淮区中山东路524号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。