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龙图腾网获悉上海帝迪集成电路设计有限公司申请的专利一种适用于带隙基准电路的快速启动电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119536447B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411700867.8，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权一种适用于带隙基准电路的快速启动电路是由王逸飞设计研发完成，并于2024-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种适用于带隙基准电路的快速启动电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种适用于带隙基准电路的快速启动电路，第一PMOS开关管的源极、第一控制开关的一端、电容的一端、第二PMOS开关管的源极均与电源电压连接，第一PMOS开关管的栅极分别与第一控制开关的另一端、第二控制开关的一端、第二PMOS开关管的漏极连接，第二控制开关的另一端接地，第一PMOS开关管的漏极接入NMOS电流镜，NMOS电流镜的输出端、第二PMOS开关管的栅极共同作为快速启动电路的输出端接入带隙基准电路的电流复制节点；电容的另一端分别与第三控制开关的一端、第一控制开关的控制端、第二控制开关的控制端连接，第三控制开关的另一端接地，第三控制开关的控制端与第一单刀单掷开关的一端连接，第一单刀单掷开关的另一端与带隙基准电路的输出端连接。

本发明授权一种适用于带隙基准电路的快速启动电路在权利要求书中公布了：1.一种适用于带隙基准电路的快速启动电路，其特征在于，包括：第一PMOS开关管201、NMOS电流镜、第二PMOS开关管204、电容205、第一控制开关207、第二控制开关208、第三控制开关211和第一单刀单掷开关213，所述第一PMOS开关管201的源极、第一控制开关207的一端、电容205的一端、第二PMOS开关管204的源极均与电源电压VDD连接，所述第一PMOS开关管201的栅极分别与第一控制开关207的另一端、第二控制开关208的一端、第二PMOS开关管204的漏极连接，所述第二控制开关208的另一端接地，所述第一PMOS开关管201的漏极接入NMOS电流镜，所述NMOS电流镜的输出端、第二PMOS开关管204的栅极共同作为快速启动电路的输出端接入带隙基准电路的电流复制节点A；所述电容205的另一端分别与第三控制开关211的一端、第一控制开关207的控制端、第二控制开关208的控制端连接，所述第三控制开关211的另一端接地，所述第三控制开关211的控制端与第一单刀单掷开关213的一端连接，所述第一单刀单掷开关213的另一端与带隙基准电路的输出端BGOUT连接。

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