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龙图腾网获悉中国科学技术大学申请的专利一种MEMS谐振器的振荡电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119543835B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411621657.X，技术领域涉及：H03B5/32；该发明授权一种MEMS谐振器的振荡电路是由左成杰;袁颖;崔新惠设计研发完成，并于2024-11-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种MEMS谐振器的振荡电路在说明书摘要公布了：本发明提供一种MEMS谐振器的振荡电路，其中：通过偏置电路为主振荡器核心电路提供PMOS交叉耦合对管的直流偏置电压和尾电流源偏置电压；因此主振荡器核心电路中的各个支路可以仅串联有三个晶体管，三个晶体管即可实现主振荡器核心电路产生振荡正弦波信号的功能，无需堆叠较多的晶体管；串联晶体管的数量较少，主振荡器核心电路的工作电压相应降低，主振荡器核心电路能够在低电源电压环境工作，降低主振荡器核心电路的功耗，也即本申请提供的MEMS谐振器的振荡电路能够在保证低相噪且提供相同负阻的前提下，减小晶体管堆叠，降低电源电压，从而降低振荡器的功耗，提高振荡器的品质因数。

本发明授权一种MEMS谐振器的振荡电路在权利要求书中公布了：1.一种MEMS谐振器的振荡电路，其特征在于，包括：主振荡器核心电路101和偏置电路102； 所述偏置电路102的第一输出端与所述主振荡器核心电路101的第一输入端连接； 所述偏置电路102的第二输出端与所述主振荡器核心电路101的第二输入端连接； 所述偏置电路102，用于通过自身第二输出端为所述主振荡器核心电路101提供尾电流源偏置电压，以及通过自身第一输出端为所述主振荡器核心电路101提供PMOS交叉耦合对管的直流偏置电压； 所述主振荡器核心电路101，用于产生振荡正弦波信号；所述主振荡器核心电路101包括两个均设置于电源VDD到地GND之间的支路；所述支路中串联有三个晶体管； 其中，所述主振荡器核心电路101中的两个支路上各个开关构成三组开关组； 两组开关组采用交叉耦合结构连接；其中，第一开关组仅在交流条件下构成交叉耦合结构； 第一开关组中各个晶体管的源极直接与电源VDD连接； 其中，所述第一开关组包括：第一PMOS晶体管MP1和第二PMOS晶体管MP2； 所述第一PMOS晶体管MP1的源极和所述第二PMOS晶体管MP2的源极均与电源VDD连接； 所述第一PMOS晶体管MP1的栅极与所述第二PMOS晶体管MP2的栅极之间设置有串联连接的第一电阻R1和第二电阻R2； 所述第一电阻R1和所述第二电阻R2之间的连接点作为所述主振荡器核心电路101的第一输入端； 所述第一PMOS晶体管MP1的漏极通过第二电容C2连接所述第二PMOS晶体管MP2的栅极； 所述第二PMOS晶体管MP2的漏极通过第一电容C1连接所述第一PMOS晶体管MP1的栅极； 所述第一PMOS晶体管MP1的漏极还连接所述主振荡器核心电路101的第一输出端； 所述第二PMOS晶体管MP2的漏极还连接所述主振荡器核心电路101的第二输出端； 所述第二开关组包括：第一NMOS晶体管MN1和第二NMOS晶体管MN2； 所述第一NMOS晶体管MN1的漏极与所述第二NMOS晶体管MN2的栅极连接，连接点与所述主振荡器核心电路101的第一输出端连接； 所述第二NMOS晶体管MN2的漏极与所述第一NMOS晶体管MN1的栅极连接，连接点与所述主振荡器核心电路101的第二输出端连接； 所述第三开关组包括：第三NMOS晶体管MN3和第四NMOS晶体管MN4； 所述第三NMOS晶体管MN3的漏极分别与第四电容C4的一端和第一NMOS晶体管MN1的源极连接； 所述第四NMOS晶体管MN4的漏极分别与所述第四电容C4的另一端和第二NMOS晶体管MN2的源极连接； 所述第三NMOS晶体管MN3的栅极与所述第四NMOS晶体管MN4的栅极连接，连接点作为所述主振荡器核心电路101的第二输入端； 所述第三NMOS晶体管MN3的源极和所述第四NMOS晶体管MN4的源极均接地GND。

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