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龙图腾网获悉南京邮电大学申请的专利一种相变存储器阵列的故障测试方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119559990B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411607055.9，技术领域涉及：G11C29/10；该发明授权一种相变存储器阵列的故障测试方法及系统是由连晓娟;张云博;华辰飞;王磊;蔡志匡;王子轩;郭宇锋设计研发完成，并于2024-11-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种相变存储器阵列的故障测试方法及系统在说明书摘要公布了：本发明公开了一种相变存储器阵列的故障测试方法及系统，涉及集成电路技术领域，包括对相变存储器阵列中多种故障模式进行分析，提取出每种故障模式的充要条件，所述充要条件为阵列中某一单元或多个单元的失效特征；根据所述充要条件推导出适用于相变存储器阵列故障测试的测试序列；构建基于所述测试序列的故障检测电路，并将其嵌入到相变存储器阵列中；使用所述故障检测电路对相变存储器阵列进行故障测试，判断阵列中各存储单元的健康状态，完成故障测试。本发明算法能够检测出传统检测电路无法识别的PCRAM特有故障，从而大幅提升了故障覆盖率。

本发明授权一种相变存储器阵列的故障测试方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种相变存储器阵列的故障测试方法，其特征在于：包括，对相变存储器阵列中多种故障模式进行分析，提取出每种故障模式的充要条件，所述充要条件为阵列中某一单元或多个单元的失效特征； 根据所述充要条件推导出适用于相变存储器阵列故障测试的测试序列； 构建基于所述测试序列的故障检测电路，并将其嵌入到相变存储器阵列中； 使用所述故障检测电路对相变存储器阵列进行故障测试，判断阵列中各存储单元的健康状态，完成故障测试； 所述测试序列基于相变存储器阵列的工作特性和故障模式，采用敏化序列和检测序列的组合； 所述敏化序列用于激活阵列中的潜在故障，所述检测序列用于判断故障是否发生； 通过优化测试序列，在各种操作条件下触发和检测故障模式； 测试序列采用改进的March-PCRAM算法生成，针对相变存储器阵列的特性优化了敏化序列与检测序列的生成过程； 所述改进的March-PCRAM算法的具体流程如下所示： {M0↑↓w0;M1↑rref0w1rref1;M2↓w1rref1w0rref0;M3↓rref0w1rref1;M4↑↓rref1}； 其中，M0-M4表示算法中的步骤元素，↑代表地址按升序访问，↓代表地址按降序访问，↑↓则表示地址既可按升序也可按降序访问，w0表示向选定的存储单元写入逻辑0数据，w1表示向选定单元写入逻辑1数据，r0表示读取选定单元中的数据且期望值为0，r1表示读取时期望值为1，rref0和rref1则为检测PCRAM特有故障的特殊读操作； 在测试过程中，若某个测试地址的读出数据与期望值不符，则判定该地址发生故障，表明相变存储器的读写操作存在异常，故障检测未通过；若所有地址的读出数据均与期望值一致，则认为故障检测通过。

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