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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利带间级联激光器外延结构及带间级联激光器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119560887B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311126003.5，技术领域涉及：H01S5/34；该发明授权带间级联激光器外延结构及带间级联激光器是由余红光;牛智川;杨成奥;徐应强;张宇;倪海桥;陈益航;王天放;石建美设计研发完成，并于2023-09-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本带间级联激光器外延结构及带间级联激光器在说明书摘要公布了：本公开提供一种带间级联激光器外延结构，包括：依次叠加的衬底、缓冲层、下限制层、下波导层、有源级联区、上波导层、上限制层和接触层；其中，下限制层用于限制激光向第一方向泄露，上限制层用于限制激光向第二方向泄露；下波导层的带隙宽度介于下限制层与有源级联区之间，且下波导层的带隙宽度大于有源级联区的带隙宽度，下波导层的折射率大于下限制层的折射率；以及有源级联区包括一个或多个周期的注入复合叠层，注入复合叠层包括电子注入区、空穴注入区，以及设置在电子注入区与空穴注入区之间的电子空穴复合区。本公开提供的激光器外延结构相对于传统W型量子阱，电子与空穴相互作用更强，光学增益更高。

本发明授权带间级联激光器外延结构及带间级联激光器在权利要求书中公布了：1.一种带间级联激光器外延结构，其特征在于，包括： 依次叠加的衬底、缓冲层、下限制层、下波导层、有源级联区、上波导层、上限制层和接触层； 其中，所述下限制层用于限制激光向第一方向泄露，所述上限制层用于限制激光向第二方向泄露； 所述下波导层的带隙宽度介于所述下限制层与所述有源级联区之间，且所述下波导层的带隙宽度大于所述有源级联区的带隙宽度，所述下波导层的折射率大于所述下限制层的折射率； 所述上波导层的带隙宽度，介于所述上限制层与所述有源级联区之间，且所述上波导层的带隙宽度大于所述有源级联区的带隙宽度，所述上波导层的折射率大于所述上限制层的折射率；以及 所述有源级联区包括一个或多个周期的注入复合叠层，所述注入复合叠层包括电子注入区、空穴注入区，以及设置在所述电子注入区与所述空穴注入区之间的电子空穴复合区，电子与空穴在所述电子空穴复合区中复合发光； 其中，所述电子空穴复合区包括电子空穴复合叠层和至少一个电子输运叠层；其中，所述电子空穴复合叠层用于对电子和空穴进行复合，所述电子空穴复合叠层包括依次叠加的铟砷层、铟镓锑层和铟砷层；所述电子输运叠层用于将电子向所述铟镓锑层与所述铟砷层之间的界面集中；所述电子输运叠层设置在所述电子空穴复合叠层的至少一侧； 所述电子输运叠层包括：相互叠加的铟砷层和铝锑层，多个所述铟砷层之间互相不接触。

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