南京邮电大学沈业辉获国家专利权
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龙图腾网获悉南京邮电大学申请的专利基于悬浮纳米电极的太赫兹忆阻射频开关及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119562757B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411737522.X，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权基于悬浮纳米电极的太赫兹忆阻射频开关及其制备方法是由沈业辉;朱刚毅;宋阳;张天宇;徐荣青;沈光煦设计研发完成，并于2024-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于悬浮纳米电极的太赫兹忆阻射频开关及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种在高阻硅片衬底上基于悬浮纳米电极的太赫兹忆阻射频开关及其制备方法，包括衬底，衬底的上表面设置有连接层，连接层的上表面设置有惰性电极层，惰性电极层上表面设置有Nafion介质层，Nafion介质层上表面设置有活性电极层，活性电极层上表面设置有惰性金属层，该设计中的射频开关以Nafion离子交换膜为主要材料，包括从下至上一次设置的硅衬底层、铬连接层、惰性底层电极、Nafion薄膜中间层、活性顶层电极以及惰性金属保护层。在硅衬底层通过刻蚀工艺制备突起型微结构，实现惰性电极悬空，整个忆阻射频开关主要由两个电极和一个中间层叠加构成，通过对活性电极连接正极，惰性电极连接负极，施加开启、关断电压展现非易失性。
本发明授权基于悬浮纳米电极的太赫兹忆阻射频开关及其制备方法在权利要求书中公布了：1.基于悬浮纳米电极的太赫兹忆阻射频开关，其特征在于，包括衬底1，衬底1的上表面设置有连接层2，连接层2的上表面设置有惰性电极层3，惰性电极层3上表面设置有Nafion介质层4，Nafion介质层上表面设置有活性电极层5，活性电极层5上表面设置有惰性金属层6； 所述衬底硅层1通过刻蚀工艺制备出凸起微结构； 所述惰性电极层3覆盖住衬底硅层1中凸起微结构部分； 所述的惰性电极层3不得与活性电极层5以及惰性金属层6的边缘重合。
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