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龙图腾网获悉中北大学申请的专利用于宽量程压力测量的单片集成多频CMUTs获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119573923B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411769378.8，技术领域涉及：G01L1/14；该发明授权用于宽量程压力测量的单片集成多频CMUTs是由丁琦;王红亮;张峰;张鹏;杨润泽;何常德;李强;崔永俊;张文栋设计研发完成，并于2024-12-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于宽量程压力测量的单片集成多频CMUTs在说明书摘要公布了：本发明涉及压力0~200kPa检测领域，尤其涉及MEMS集成压力传感器件或用于宽量程压力测量的单片集成多频电容式微机械超声换能器CMUTs。所述单片集成多频CMUTs，在芯片上集成有第一CMUTs、第二CMUTs以及第三CMUTs；通过调整第一、第二、第三CMUT单元的振膜厚度、空腔高度、振膜半径以及第二CMUT单元空腔内的压力值，使第一、第二CMUT单元工作于小挠度变形的线性范围内，第三CMUT单元工作于大挠度变形的线性范围内，且第一、第二、第三CMUT单元的工作范围构成连续完整的测量区间，谐振频率互不重叠，实现了可用于0~200kPa全压力范围测量的集成压力传感器件。

本发明授权用于宽量程压力测量的单片集成多频CMUTs在权利要求书中公布了：1.一种用于宽量程压力测量的单片集成多频CMUTs，其特征在于，在芯片上集成有至少一个第一CMUT单元、至少一个第二CMUT单元以及至少一个第三CMUT单元；所述第二CMUT单元采用空腔内部压力可调的CMUT单元；所述空腔内部压力可调的CMUT单元，包括作为底部电极且蚀刻有空腔的硅衬底、悬浮于空腔上方的二氧化硅和单晶硅层压薄膜，以及沉积于层压薄膜上方的作为顶部电极的金属薄膜；空腔内充有一定压力的气体，所述一定压力是指0~50kPa范围内的压力调控值； 通过调整第一、第二、第三CMUT单元的振膜厚度、空腔高度、振膜半径以及第二CMUT单元空腔内的压力调控值，使第一、第二CMUT单元工作于小挠度变形的线性范围内，第三CMUT单元工作于大挠度变形的线性范围内，且第一、第二、第三CMUT单元的工作范围构成连续完整的测量区间，谐振频率互不重叠； 所述振膜厚度是指二氧化硅和单晶硅层压薄膜的厚度之和，振膜半径等同于空腔半径； 第一、第二、第三CMUT单元的振膜厚度均为5µm，空腔高度为3µm，振膜半径依次为120µm、125µm、200µm。

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