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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利基于扩散电容的反向恢复模型的开通损耗计算方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119578088B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411703920.X，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权基于扩散电容的反向恢复模型的开通损耗计算方法及系统是由王来利;董晓博;靳浩源;王淦设计研发完成，并于2024-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于扩散电容的反向恢复模型的开通损耗计算方法及系统在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于扩散电容的反向恢复模型的开通损耗计算方法及系统，包括通过结合扩散电容和三电容模型对SiCMOSFET的结电容范围进行延伸，该方法能够更准确地描述中压SiCMOSFET的反向恢复特性了模型对实际器件行为的模拟精度，为后续的分析和优化提供了坚实的基础。通过求解线性化后的反向恢复模型，该方法能够得到SiCMOSFET反向恢复过程中的电压和电流波形。这些波形是评估开通损耗的关键数据，因为它们直接反映了器件在开关过程中能量的转换和损耗情况，根据反向恢复的电压和电流波形，该方法能够进一步计算出中压SiCMOSFET在开通过程中的热损耗。

本发明授权基于扩散电容的反向恢复模型的开通损耗计算方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种基于扩散电容的反向恢复模型的开通损耗计算方法，其特征在于，包括， 基于扩散电容和三电容模型对SiCMOSFET结电容的范围进行延伸后，得到中压碳化硅MOSFET的反向恢复模型； 对中压碳化硅MOSFET的反向恢复模型进行线性化近似处理； 基于线性化近似处理后的中压碳化硅MOSFET的反向恢复模型对SiCMOSFET反向恢复的开通过程进行求解，得到反向恢复的电压和电流波形； 根据反向恢复的电压和电流波形，得到中压SiCMOSFET在开通过程中的热损耗； 中压碳化硅MOSFET的反向恢复模型的具体建立过程为： 基于扩散电容，通过对三电容模型进行改进，使得三电容模型中的PN结正向导通时的栅漏电容Cgd和漏源电容Cds比PN结处于反向偏置时的电容大，栅源电容Cgs不变，从而得到中压碳化硅MOSFET的反向恢复模型； 所述中压碳化硅MOSFET的反向恢复模型的表达式为： 其中，vgs、vgd、vds为器件的各端口电压，ich为器件的SiCMOSFET处于饱和区时的沟道电流，函数f代表了器件的静态特性，id为器件漏极电流；vD和iD分别为体二极管电流的电压和电流，函数g代表二极管的静态输出特性；VDC为直流母线电压，VDD为驱动电压，Rg为驱动电阻，IL为电感电流，Cgs、Cgd、Cds为器件结电容，下标l和h分别代表器件的下管器件和上管二极管的电容值；Lg、Ls、Lloop分别为器件的栅极寄生电感、源极寄生电感以及换流回路寄生电感。

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