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龙图腾网获悉湘潭大学申请的专利高维持电压的单向可控硅静电防护器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119604036B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411782033.6，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权高维持电压的单向可控硅静电防护器件及其制作方法是由杨红姣;周峰峰;汪洋;邓俊;陈浩天设计研发完成，并于2024-12-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本高维持电压的单向可控硅静电防护器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高维持电压的单向可控硅静电防护器件及其制作方法，在PW中嵌入一个正向偏置的二极管、一个栅极接地的NMOS、一个反向偏置的二极管，正向偏置二极管D1的N+区为栅极接地的NMOS的漏端N+区，反向偏置二极管D2的N+区为栅极接地的NMOS的源端N+区；该器件在传统的单向可控硅静电防护器件的基础上多出了一条表面ESD电流泄放路径，对SCR路径进行分流，可有效地抑制SCR泄放路径的正反馈效应；本发明的可控硅整流器静电释放器件具有高维持电压高失效电流的特点，可在有效避免闩锁效应的同时实现高防护等级。

本发明授权高维持电压的单向可控硅静电防护器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种高维持电压的单向可控硅静电防护器件，其特征在于，包括： P型衬底；所述P型衬底中设有N型埋层与P型外延层；P型外延层上设有第一P阱； 所述N型埋层上方设有第一高压N型阱与第二高压N型阱；所述第一高压N型阱上方设有第一N型深阱；第二高压N型阱上方设有第二N型深阱； 所述第一N型深阱上设有第一N阱；第二N型深阱上设有第二N阱；所述N型深阱上从左往右依次设有第一N阱与第一P阱与第二N阱；所述第一N阱上从左往右依次设有第一N+注入、第一P+注入；第一P阱上从左往右依次设有第二P+注入、第二N+注入、第一栅极、第三N+注入、第三P+注入、第四N+注入、第四P+注入；所述第一栅极在第二N+注入与第三N+注入之间； 所述第一N阱中的第一N+注入、第一P+注入两个电极连接在一起并做器件的阳极；第一P阱中的第四N+注入与第四P+注入两个电极连接在一起并做器件的阴极；第一P阱中的第二P+注入与第二N+注入通过金属线连接在一起，不接电位；第一P阱中的第一栅极通过金属线连接到地；第一P阱中的第三N+注入与第三P+注入通过金属线连接在一起，不接电位。

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