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龙图腾网获悉华南理工大学申请的专利一种基于三端电阻监测的SiC MOSFET最大浪涌电流测试及失效分析方法和装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119619780B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411879145.3，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权一种基于三端电阻监测的SiC MOSFET最大浪涌电流测试及失效分析方法和装置是由钟永乐;王之哲;陈志武;何新华设计研发完成，并于2024-12-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于三端电阻监测的SiC MOSFET最大浪涌电流测试及失效分析方法和装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于三端电阻监测的SiCMOSFET最大浪涌电流测试及失效分析方法和装置。通过施加步进浪涌电流并结合三端电阻的在线监测，快速评估器件在极端应力下的性能变化，从而判断其最大单次浪涌电流承受能力及失效模式。具体步骤包括对待测SiCMOSFET施加适当的栅极偏压，并设定浪涌电流产生电路的参数。在施加步进单次浪涌电流后，测量并记录栅源、漏源和栅漏端的三端静态电阻值。通过监测电阻值的变化，确定最大单次浪涌电流大小并判断器件的失效模式，明确开路、短路、漏电和烧毁等模式。该方法不仅操作简便，成本低廉，且能在不使用高精度仪器的情况下，快速提供SiCMOSFET的可靠性信息。

本发明授权一种基于三端电阻监测的SiC MOSFET最大浪涌电流测试及失效分析方法和装置在权利要求书中公布了：1.一种基于三端电阻监测的SiCMOSFET失效分析方法，其特征在于，所述三端电阻为SiCMOSFET的栅源电阻、漏源电阻和栅漏电阻； 所述方法包括： S1、对SiCMOSFET施加栅极偏压使器件的沟道处于关闭状态； S2、对SiCMOSFET从源极向漏极单次步进施加浪涌电流，每次施加结束后测量并记录SiCMOSFET的三端电阻，每次浪涌电流增加幅度为5-10A； S3、当某次施加浪涌电流后SiCMOSFET的三端电阻其中一个或多个阻值下降至千欧以下，判断SiCMOSFET为失效状态，停止施加浪涌电流； S4、在确定所述SiCMOSFET为失效状态的情况下，根据栅源电阻、漏源电阻和栅漏电阻的变化情况，确定SiCMOSFET的失效原因，所述失效原因为栅源极间短路、漏源极间短路和栅漏源三端之间两两互相短路中的至少一种； 在栅源电阻下降至千欧以下，且栅漏电阻和漏源电阻大于一百兆欧的情况下，确定失效原因为栅源极间短路； 在漏源电阻下降至千欧以下，且栅漏电阻和栅源电阻大于一百兆欧的情况下，确定失效原因为漏源极间短路； 在栅源电阻、漏源电阻和栅漏电阻均下降至千欧以下的情况下，确定失效原因为栅漏源三端之间两两互相短路。

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