西安电子科技大学宓珉瀚获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利基于多阈值耦合技术的N面GaN射频器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119630023B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411674738.6，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权基于多阈值耦合技术的N面GaN射频器件及其制备方法是由宓珉瀚;王瑞宁;周雨威;温馨怡;龚灿;马晓华设计研发完成，并于2024-11-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于多阈值耦合技术的N面GaN射频器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及基于多阈值耦合技术的N面GaN射频器件及其制备方法，器件包括：自下而上依次设置的衬底层、缓冲层、势垒层、沟道层、多阈值耦合栅结构，其中，所述沟道层的材料为N面GaN；所述沟道层和所述势垒层的界面处形成二维电子气；所述多阈值耦合栅结构用于对所述二维电子气施加沿栅宽方向逐渐变化的阈值电压。通过多阈值耦合栅结构对二维电子气施加沿栅宽方向逐渐变化的阈值电压，使得器件能够随着栅压由负到正逐渐增大而沿栅宽方向逐渐开启，实现提高器件的跨导平坦度。本实施例提供的器件栅长不受跨导平坦度制约，能够通过大幅缩短栅长来提高工作频率，具有更高的工作频率、更好的线性度，满足未来6G太赫兹频段通信要求。
本发明授权基于多阈值耦合技术的N面GaN射频器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.基于多阈值耦合技术的N面GaN射频器件，其特征在于，包括：自下而上依次设置的衬底层、缓冲层、势垒层、沟道层、多阈值耦合栅结构，其中， 所述沟道层的材料为N面GaN； 所述沟道层和所述势垒层的界面处形成二维电子气； 所述多阈值耦合栅结构用于对所述二维电子气施加沿栅宽方向逐渐变化的阈值电压； 所述多阈值耦合栅结构包括：第一栅极和沿所述栅宽方向间隔分布的若干个第一栅槽，其中， 沿所述栅宽方向，若干个第一栅槽的长度依次增大，且每两个相邻的第一栅槽之间的间隔逐渐减小； 每个所述第一栅槽均由所述沟道层的上表面延伸至所述势垒层的内部； 所述第一栅极填充在所述若干个第一栅槽中并覆盖所述若干个第一栅槽之间的间隔。
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