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龙图腾网获悉哈尔滨工业大学申请的专利一种高熵锆酸盐PVD陶瓷薄膜的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119638414B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411992505.0，技术领域涉及：C04B35/488；该发明授权一种高熵锆酸盐PVD陶瓷薄膜的制备方法是由张晓东;韩旭设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高熵锆酸盐PVD陶瓷薄膜的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高熵锆酸盐PVD陶瓷薄膜的制备方法，所述方法以纳米Sm2O3粉体、纳米Eu2O3粉体、纳米Tb2O3粉体、纳米Dy2O3粉体、纳米Lu2O3粉体和纳米ZrO2粉体五种稀土氧化物与氧化锆先通过喷雾造粒获得靶材原料粉体；经过筛分获得不同粒径配比球型粉体，利用冷等静压制作靶材生胚，随后烧结生胚靶材；利用PVD技术将高熵锆酸盐EB‑PVD靶材沉积在表面平整、光洁的PVD基材表面，形成高熵锆酸盐PVD陶瓷薄膜。利用PVD技术制备的高熵陶瓷薄膜高温稳定性显著提高，能够承受高达1500℃以上的环境，界面结合力增强，适应多次热循环的使用要求。

本发明授权一种高熵锆酸盐PVD陶瓷薄膜的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高熵锆酸盐PVD陶瓷薄膜的制备方法，其特征在于所述方法包括如下步骤： 步骤一、在立式球磨机中加入氧化锆磨球和适量去离子水，然后向去离子水中加入分散剂，待分散剂完全溶解后按照Sm0.2Eu0.2Tb0.2Dy0.2Lu0.22Zr2O7所示配比，加入纳米Sm2O3粉体、纳米Eu2O3粉体、纳米Tb2O3粉体、纳米Dy2O3粉体、纳米Lu2O3粉体和纳米ZrO2粉体球磨一段时间后，加入粘结剂后继续球磨一段时间，得到均匀浆料，其中：所述去离子水的用量是纳米粉体总质量的0.5~3倍，分散剂的用量为纳米粉体总质量的0.03~6%，粘结剂的用量为纳米粉体总质量0.1~10%； 步骤二、步骤一得到的浆料经喷雾造粒得到微米尺寸的纳米结构球形稀土氧化物粉体； 步骤三、将步骤二得到的YSZ团聚粉体按照粒度进行筛分，将筛分后的不同粒径球型粉体进行配比，随后利用冷等静压方法进行压制，得到具有不同孔隙率的靶材生胚，其中：所述筛分规格为50~150目、150~300目、300~400目，质量比为2~6：1~3：1~5； 步骤四、对靶材生胚进行烧结，得到高熵锆酸盐EB-PVD靶材，所述烧结机制为：首先，以1~10℃min升至350℃并保温300~420min，接着，以1~10℃min升至1100℃并保温180~250min，随后，以1~10℃min升至1400℃并保温480~600min，最后，将温度降至室温； 步骤五、利用PVD技术将高熵锆酸盐EB-PVD靶材沉积在表面平整、光洁的PVD基材表面，形成SETDL高熵锆酸盐PVD陶瓷薄膜，所述高熵锆酸盐PVD陶瓷薄膜制备过程中的参数为：将基板温度从室温加热至50~200℃，电子枪高压为-10~-4kV，电子枪束流为80~110Wcm2，扫描位置电流变化范围±0.7A-±1.3A，沉积速率为1~5nmmin，沉积涂层厚度为10~500nm。

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