哈尔滨工业大学矫淑杰获国家专利权
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龙图腾网获悉哈尔滨工业大学申请的专利一种横向光电化学型日盲紫外光电探测器的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119642970B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411753236.2，技术领域涉及：G01J1/42；该发明授权一种横向光电化学型日盲紫外光电探测器的制备方法是由矫淑杰设计研发完成，并于2024-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种横向光电化学型日盲紫外光电探测器的制备方法在说明书摘要公布了：一种横向光电化学型日盲紫外光电探测器的制备方法，属于探测器制备技术领域。所述方法为：用掩膜版掩盖一部分导电衬底，在未掩盖的部分制备光敏材料；取下掩膜版，在导电衬底露出的部分上制备对电极，并在对电极位置上打孔穿透电极和衬底用于注入电解液；准备高透石英片，使用厚度为50‑60μm的沙林膜将高透石英片与以上结构粘合，随后通过对电极上的孔注入电解液，之后将小孔密封，形成横向PEC型光电探测器。本发明的PEC光电探测器，光阳极和对电极在同侧，即横向排列，入光面为高透石英，相比于前面提到FTO做电极的探测器，能够实现日盲紫外探测器，与石英上的铂作为对电极的倒置结构相比，具有更大的入射面，光吸收效率高，探测效率高。
本发明授权一种横向光电化学型日盲紫外光电探测器的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种横向光电化学型日盲紫外光电探测器的制备方法，其特征在于：所述方法为： 步骤一：用掩膜版掩盖一部分导电衬底，在未掩盖的部分制备光敏材料； 步骤二：取下掩膜版，在导电衬底露出的部分上制备对电极，并在对电极位置上打孔穿透电极和衬底用于注入电解液，在制备电极过程中； 步骤三：准备高透石英片，使用厚度为50~60μm的沙林膜将高透石英片与以上结构的上表面粘合，随后通过对电极上的孔注入电解液，之后将小孔密封，形成横向PEC型光电探测器。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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