中国科学院电工研究所黄河获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院电工研究所申请的专利一种降低氟化钾掺杂铁基超导体中杂质的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119650193B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411905811.6，技术领域涉及：H01B13/00；该发明授权一种降低氟化钾掺杂铁基超导体中杂质的方法是由黄河;马衍伟;张现平;王栋樑设计研发完成，并于2024-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种降低氟化钾掺杂铁基超导体中杂质的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种降低氟化钾掺杂铁基超导体中杂质的方法，属于铁基超导材料技术领域，本发明提供了采用氟化钾制备的Ae1‑xKxFe2As2超导体中杂质的去除方法，包括以下步骤：原料方面：提升制备原料中Ae元素的摩尔比例；后续处理：将烧结完成之后的块体在Ar气氛保护下的手套箱中进行粉碎，将粉碎后的粉末装入盛有溶剂的球磨罐中，所述溶剂为甲醇、乙醇、乙醚、丙酮或正己烷，将球磨罐装入球磨机中进行球磨，所述球磨转速为100‑500rmin，球磨时间为0.5‑10h；球磨完成后去除上层溶剂，将剩余粉末进行烘干，得到去除杂质之后的超导体。本发明提供的去除氟化钾掺杂的铁基超导体中杂质的方法可以提高最终产物的相纯度。
本发明授权一种降低氟化钾掺杂铁基超导体中杂质的方法在权利要求书中公布了：1.一种降低氟化钾掺杂铁基超导体中杂质的方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤1、提升制备原料中Ae元素的摩尔比例，提升至1-x-1-x10； 步骤2、将烧结完成之后的块体在Ar气氛保护下的手套箱中进行粉碎，将粉碎后的粉末装入盛有溶剂的球磨罐中，所述溶剂为甲醇、乙醇、乙醚、丙酮或正己烷； 步骤3、将球磨罐装入球磨机中进行球磨； 步骤4、球磨完成后去除上层溶剂，将剩余粉末在加热平台进行烘干，得到去除杂质之后的超导体。
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