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龙图腾网获悉西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司申请的专利硅片边缘刻蚀设备和硅片边缘刻蚀方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119650468B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411771062.2，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权硅片边缘刻蚀设备和硅片边缘刻蚀方法是由陈曦鹏;孙介楠;郭宏雁设计研发完成，并于2024-12-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本硅片边缘刻蚀设备和硅片边缘刻蚀方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种硅片边缘刻蚀设备和硅片边缘刻蚀方法，涉及半导体技术领域，所述硅片边缘刻蚀设备，包括：在竖直方向上相对设置的上承载台和下承载台，硅片位于下承载台朝向上承载台的一侧；控制器，与上承载台连接和或与下承载台连接，控制器用于获取硅片的厚度，并根据厚度控制上承载台在竖直方向上移动和或控制下承载台在竖直方向上移动，以使上承载台与下承载台之间的距离等于所述硅片的厚度。本发明能够避免上承载台、下承载台与硅片之间的过大压力发生碎片，也能够通过上承载台和下承载台固定住硅片，防止硅片在后续加工过程中发生偏移，还能够通过上承载台覆盖住硅片上表面不需被刻蚀的区域，避免这些不需被刻蚀的区域产生刻蚀。

本发明授权硅片边缘刻蚀设备和硅片边缘刻蚀方法在权利要求书中公布了：1.一种硅片边缘刻蚀设备，其特征在于，包括： 在竖直方向上相对设置的上承载台和下承载台，硅片位于所述下承载台朝向所述上承载台的一侧，所述上承载台能够在竖直方向上移动和或所述下承载台能够在竖直方向上移动； 控制器，所述控制器与所述上承载台连接和或与所述下承载台连接，所述控制器用于获取所述硅片的厚度，并根据所述厚度控制所述上承载台在竖直方向上移动和或控制所述下承载台在竖直方向上移动，以使所述上承载台与所述下承载台之间的距离等于所述硅片的厚度； 其中，所述硅片边缘刻蚀设备还包括：厚度检测组件，所述厚度检测组件设置于所述上承载台和所述下承载台的侧边，且所述厚度检测组件与所述控制器连接；所述厚度检测组件用于检测所述硅片的厚度，并向所述控制器发送所述硅片的厚度； 其中，所述上承载台朝向所述硅片的第一承载面的尺寸小于所述硅片的上表面的尺寸，所述下承载台朝向所述硅片的第二承载面的尺寸小于所述硅片的下表面的尺寸，通过所述第一承载面和所述第二承载面，暴露出所述硅片的边缘； 其中，所述硅片边缘刻蚀设备还包括：喷头，所述喷头设置于所述硅片边缘，且所述喷头用于向所述硅片边缘喷射刻蚀液。

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