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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种基于反相器的低噪声放大器及其多目标优化方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119652264B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411693569.0，技术领域涉及：H03F1/26；该发明授权一种基于反相器的低噪声放大器及其多目标优化方法是由李照希;苏震宇;侯琛雪;余志桦;林智声;谌东东;杨银堂设计研发完成，并于2024-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于反相器的低噪声放大器及其多目标优化方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于反相器的低噪声放大器及其多目标优化方法，包括反相器、输入电容CI、反馈电容CF和单级运算放大器。反相器由PMOS管和NMOS管串联组成，输入电容CI和反馈电容CF均为分裂电容结构，单级运算放大器的正输入端与反相器的输出端连接，负输入端连接参考电压，输出端通过电阻R2接入NMOS管的栅极，同时PMOS管的栅极连接电阻R1，且R1和R2阻值相等；提高了放大器电路的稳定性和噪声性能；使用多目标优化设计方法，优化低噪声放大器设计参数以满足不同频率超声脉冲回波信号放大的需求，提高设计效率。

本发明授权一种基于反相器的低噪声放大器及其多目标优化方法在权利要求书中公布了：1.一种基于反相器的低噪声放大器，其特征在于，包括反相器、输入电容CI、反馈电容CF和单级运算放大器； 所述反相器由PMOS管MP1和NMOS管MN1串联组成，所述PMOS管和NMOS管的栅极为输入端，漏极为输出端，PMOS管的源极连接电源VDD和NMOS管的源极连接地； 所述输入电容CI和反馈电容CF并联；所述输入电容CI为电容CI1和电容CI2串联的分裂电容结构；信号输入端接入电容CI1和电容CI2之间；所述输入电容CI的两端分别连接PMOS管MP1的栅极和NMOS管MN1的栅极；所述反馈电容CF为电容CF1和电容CF2串联的分裂电容结构，反相器的输出端接入电容CF1和电容CF2之间； 所述单级运算放大器的正输入端与反相器的输出端连接，负输入端连接参考电压VREF，输出端连接电阻R2后接入NMOS管MN1的栅极，PMOS管MP1的栅极连接有电阻R1，所述电阻R1和电阻R2阻值相等；所述电阻R1连接有PMOS管MP2，与PMOS管MP2的栅极相接，所述PMOS管MP2的源极连接电源VDD；所述PMOS管MP2的漏极与PMOS管MP2的栅极相连接。

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