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龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利倒装LED芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119653934B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411762784.1，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权倒装LED芯片及其制备方法是由茹浩;鲁洋;吴晓霞;胡加辉;金从龙设计研发完成，并于2024-12-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本倒装LED芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及光电子制造技术领域，具体公开了一种倒装LED芯片及其制备方法。制备方法包括：提供外延片；形成透明导电层；刻蚀形成刻蚀坑；形成第一钝化保护层；形成第一光刻胶层；刻蚀形成暴露透明导电层的凹槽，并形成蒸镀孔；蒸镀孔顶部的宽度小于凹槽的宽度；在蒸镀孔内依次蒸镀反射层和连接层，蒸镀时，金属束流与外延片具有第一角度；在蒸镀孔内蒸镀保护层，蒸镀时，金属束流与外延片具有第二角度，第二角度小于第一角度；去除第四光刻胶层；形成第二钝化保护层，刻蚀开孔；形成第一电极和第二电极。实施本发明，可通过第一钝化层与保护层的复合形成对反射层地良好包裹，大幅降低反射层的金属迁移，提升可靠性。

本发明授权倒装LED芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种倒装LED芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 1提供外延片；其中，所述外延片包括衬底和依次层叠于所述衬底上的第一半导体层、有源层和第二半导体层； 2在所述外延片上形成透明导电层； 3刻蚀形成贯穿至所述第一半导体层的刻蚀坑； 4在步骤3得到的外延片上形成第一钝化保护层； 5在所述第一钝化保护层上形成第一光刻胶层，并曝光显影去除所述透明导电层上方的光刻胶层，得到刻蚀孔； 6将所述刻蚀孔内的第一钝化保护层去除，得到暴露所述透明导电层的凹槽，且使所述第一光刻胶层转化为第二光刻胶层，所述第二光刻胶层上设有暴露所述凹槽的蒸镀孔；所述蒸镀孔顶部的宽度小于所述凹槽的宽度； 7在所述蒸镀孔内依次蒸镀反射层和连接层，并使所述第二光刻胶层转化为第三光刻胶层；其中，蒸镀时，金属束流与外延片具有第一角度； 8在所述蒸镀孔内蒸镀保护层，并使所述第三光刻胶层转化为第四光刻胶层；其中，蒸镀时，金属束流与外延片具有第二角度，所述第二角度小于所述第一角度； 9去除第四光刻胶层；其中，所述第四光刻胶层的厚度＜所述第三光刻胶层的厚度＜所述第二光刻胶层的厚度＜所述第一光刻胶层的厚度； 10在步骤9得到的外延片上形成第二钝化保护层，并分别形成刻蚀至第一半导体层的第一开孔和刻蚀至步骤8中的保护层的第二开孔； 11形成第一电极和第二电极，其中，第一电极通过第一开孔与所述第一半导体层电连接，所述第二电极通过所述第二开孔与步骤8中的保护层电连接。

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