有研国晶辉新材料有限公司马远飞获国家专利权
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龙图腾网获悉有研国晶辉新材料有限公司申请的专利一种硅单晶的退火方法及其制备的单晶硅晶圆和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119663457B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411967699.9，技术领域涉及：C30B33/02；该发明授权一种硅单晶的退火方法及其制备的单晶硅晶圆和应用是由马远飞;林泉;黄文文;王宇;张路;南亚新;申展设计研发完成，并于2024-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种硅单晶的退火方法及其制备的单晶硅晶圆和应用在说明书摘要公布了：本发明涉及激光加工技术领域，具体公开了一种硅单晶的退火方法及其制备的单晶硅晶圆和应用。本发明提供的硅单晶的退火方法包括以下步骤：将待退火的硅单晶工件在频率为10MHz~40MHz的近红外飞秒激光下进行退火处理，该退火处理将目标区域的退火时间控制在微秒尺度。本发明通过利用近红外激光的热累积效应与精确控制退火时间在微秒量级，结合光学器件，通过计算机联合控制扫描振镜、三维位移平台等设备，提供了一种适用于单晶硅的瞬时温度高、作用时间短且热预算低的退火处理方法。该退火方法制得的单晶硅晶圆可有效消除应力和晶格缺陷，还具有优异的光学均匀性，可应用于半导体器件或光学元件等领域。
本发明授权一种硅单晶的退火方法及其制备的单晶硅晶圆和应用在权利要求书中公布了：1.一种硅单晶的退火方法，其特征在于，所述退火方法包括以下步骤：将待退火的硅单晶工件在频率为10MHz~40MHz的近红外飞秒激光下进行退火处理，得退火后的硅单晶； 其中，所述退火处理时，对目标区域的退火时间控制在微秒尺度； 通过调控扫描振镜GS的扫描速度将目标区域的退火时间控制在5μs~50μs； 所述近红外飞秒激光的出射脉宽为185fs~195fs、波长为1540nm~1560nm； 所述近红外飞秒激光由飞秒激光器发出后，经过第一半波片和偏振分束器进入第一凸透镜和第二凸透镜进行扩束，后经第一反射镜反射进入第二半波片和四分之一波片，入射到扫描振镜；通过计算机调整三维位移平台，令扫描振镜出射的激光经过第三凸透镜、第四凸透镜、第二反射镜和物镜后聚焦于退火的硅单晶元件； 所述退火处理时，旋转所述第二半波片的光轴，调控激光的线偏振恰好与四分之一波片的光轴呈45°夹角，令激光偏振变为圆偏振。
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