厦门大学郭东辉获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门大学申请的专利自定时电路、SRAM的读写共用自定时电路及SRAM存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119673238B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411831736.3，技术领域涉及：G11C7/22；该发明授权自定时电路、SRAM的读写共用自定时电路及SRAM存储器是由郭东辉;黄河川;贺珊设计研发完成，并于2024-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本自定时电路、SRAM的读写共用自定时电路及SRAM存储器在说明书摘要公布了：本公开提供了一种自定时电路、SRAM的读写共用自定时电路及SRAM存储器。该自定时电路包括：两个倍频电路，每一倍频电路均包括相连接的一PMOS晶体管、一上升沿D触发器以及一反相器；每一倍频电路还具有互为反相的第一输出端和第二输出端；延迟链，延迟链连接于两个倍频电路之一的上升沿D触发器和反相器之间；互补异或门，其包括两个异或门，每一异或门的输入端连接有两个倍频电路之一的第一输出端以及两个倍频电路另一的第二输出端；与非门，其输入端与两个异或门的输出端相连接，与非门的输出端输出PULSE信号。本申请实施例的技术方案可以精确模拟地址译码器的延迟过程以及SRAM单元的读写操作延迟过程产生相应的控制信号，减少SRAM的功耗并提高其工作效率。
本发明授权自定时电路、SRAM的读写共用自定时电路及SRAM存储器在权利要求书中公布了：1.一种自定时电路，其特征在于，包括： 两个倍频电路，每一所述倍频电路均包括相连接的一PMOS晶体管、一上升沿D触发器以及一反相器；每一所述倍频电路还具有第一输出端和第二输出端，所述第一输出端和所述第二输出端的输出信号互为反相； 延迟链，用以模拟地址译码器的延迟，所述延迟链连接于两个所述倍频电路之一的上升沿D触发器和反相器之间； 互补异或门，其包括两个异或门，每一所述异或门的输入端连接有两个所述倍频电路之一的第一输出端以及两个所述倍频电路另一的第二输出端； 与非门，其输入端与两个所述异或门的输出端相连接，所述与非门的输出端输出PULSE信号。
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