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龙图腾网获悉吉林大学;吉林省驭功智能科技有限责任公司申请的专利一种基于扩展反电势法的中高速区无位置传感器控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119675510B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411591490.7，技术领域涉及：H02P21/13；该发明授权一种基于扩展反电势法的中高速区无位置传感器控制方法是由刘卫平;常钊;姜锐;崔晓文;毕天泽;张兴设计研发完成，并于2024-11-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于扩展反电势法的中高速区无位置传感器控制方法在说明书摘要公布了：本发明属于永磁同步电机控制领域，一种基于扩展反电势法的中高速区无位置传感器控制方法，建立了三相坐标系下PMS电压方程，将估计速度和实际速度的差值Δω假设为0，获得转子位置估计误差，将由磁场饱和效应影响下的自感和由交叉耦合效应影响的互感拟合于等效饱和电感中，简化实际无位置传感器控制时的电压方程，用d、q轴电流表示等效d轴饱和电感与等效q轴饱和电感，得到磁链方程和电压方程，辨识出等效饱和电感，补偿于传统无位置传感器控制中即可完成对转子估计位置的补偿，计算出Ldq，并拟合关于电流的曲线补偿于传统无位置传感器控制中，使用龙贝格观测器，实现考虑交叉饱和效应的中高速区无位置传感器控制。

本发明授权一种基于扩展反电势法的中高速区无位置传感器控制方法在权利要求书中公布了：1.一种基于扩展反电势法的中高速区无位置传感器控制方法，其特征在于，包括以下步骤： 1建立考虑交叉耦合效应时，永磁同步电机三相坐标系下的PMSM电压方程； 2将永磁同步电机三相坐标系下的电压方程通过Clark变换化简为αβ两相静止坐标系下电压方程； 3将永磁同步电机两相静止坐标系下的电压方程通过Park变换化简为dq两相旋转坐标系下考虑交叉饱和效应的电压方程； 4根据dq两相旋转坐标系下考虑交叉饱和效应的电压方程，将估计速度和实际速度的差值假设为0，获得转子位置估计误差； 5根据dq两相旋转坐标系下考虑交叉耦合效应且忽略微分算子与反映交叉耦合效应的电感乘积项时的电压方程，分析交叉饱和效应在位置估计时引进的误差来源于，其中p为微分算子，为转子电角速度，为考虑磁路饱和效应的定子电感的q轴分量，与为反映交叉耦合效应的电感； 6为辨识交叉饱和效应在位置估计时引进的误差，建立一种基于等效饱和电感的电机模型，此模型可将由磁场饱和效应影响下的自感和由交叉耦合效应影响的互感拟合于等效饱和电感中，将耦合电感作为扰动项等效折算于由磁场饱和效应影响下的自感中得到饱和电感方程； 7当电机的d、q轴电流较小时，还未进入饱和区，忽略磁路饱和效应，得到另一种形式的饱和电感方程的换算关系式； 8根据等效d轴饱和电感为d、q轴电流的函数，等效q轴饱和电感也为d、q轴电流的函数，得到电机磁链方程和电压方程的另一种形式； 9根据磁链方程和电压方程，辨识出等效饱和电感，补偿于传统无位置传感器控制中即可完成对转子估计位置的补偿； 10采用参数辨识方法对进行辨识，计算出，并拟合关于电流的曲线补偿于传统无位置传感器控制中，使用龙贝格观测器，实现考虑交叉饱和效应的中高速区无位置传感器控制。

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