兰州大学李海蓉获国家专利权
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龙图腾网获悉兰州大学申请的专利一种碳化硅基静电感应晶闸管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119677122B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411881449.3，技术领域涉及：H10D18/00；该发明授权一种碳化硅基静电感应晶闸管及其制备方法是由李海蓉;王宇航;陈建斌;李国阳设计研发完成，并于2024-12-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种碳化硅基静电感应晶闸管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种碳化硅基静电感应晶闸管，包括靠近N型漂移区的N+矩形沟道区和位于所述N+矩形沟道区上的N+弯道状沟道区；P+型栅区为三段式栅极结构，具体包括靠近所述N型漂移区的P+型矩形栅区、位于所述P+型矩形栅区上的P型弯曲状栅区，以及位于所述P型弯曲状栅区上的栅极区邻近铝接触电极部分；沟槽结构阴极底部还与所述P型弯曲状栅区相对设有阴极底部P+区。通过引入新的结构设计实现了更强大的栅极控制能力、更高的击穿电压以及更好的电流均匀分布。
本发明授权一种碳化硅基静电感应晶闸管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅基静电感应晶闸管，其特征在于，包括阳极P+区1、位于所述阳极P+区1上的N型漂移区9、位于所述N型漂移区9上的N+沟道区、P+型栅区，以及沟槽结构阴极7； 所述N+沟道区包括靠近所述N型漂移区9的N+矩形沟道区10和位于所述N+矩形沟道区10上的N+弯道状沟道区5； 所述P+型栅区为三段式栅极结构，具体包括靠近所述N型漂移区9的P+型矩形栅区2、位于所述P+型矩形栅区2上的P型弯曲状栅区3，以及位于所述P型弯曲状栅区3上的栅极区邻近铝接触电极部分6； 所述沟槽结构阴极7底部还与所述P型弯曲状栅区3相对设有阴极底部P+区4。
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