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龙图腾网获悉杭州中欣晶圆半导体股份有限公司申请的专利基于背面喷砂粗糙化的高平坦度硅片加工方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119704421B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411716503.9，技术领域涉及：B28D5/04；该发明授权基于背面喷砂粗糙化的高平坦度硅片加工方法是由蔡来强设计研发完成，并于2024-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于背面喷砂粗糙化的高平坦度硅片加工方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于背面喷砂粗糙化的高平坦度硅片加工方法，所属硅片加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：硅单晶经过Cz法拉制，然后经过滚磨，进入切片工序。第二步：对切片后的硅片进行研磨。第三步：对硅片表面进行腐蚀。第四步：对硅片双面进行研削加工。第五步：对硅片背面研削面进行粗糙化，在背面喷砂粗糙化技术中，采用1000目SiO2喷砂粉，干法喷砂压力0.09MPa。第六步：对正面进行最终抛光。第七步：对抛光后的硅片清洗后在ADE9600上测试平坦度。具有操作便捷、稳定性好和效果好的优点。通过双面研削加背面喷砂粗糙化技术，硅片平坦度SFQR提升约32.7％。

本发明授权基于背面喷砂粗糙化的高平坦度硅片加工方法在权利要求书中公布了：1.一种基于背面喷砂粗糙化的高平坦度硅片加工方法，其特征在于包括如下操作步骤： 第一步：硅单晶经过Cz法拉制，然后经过滚磨，进入切片工序； 第二步：对切片后的硅片进行研磨； 第三步：为减小研磨后的损伤层，对硅片表面进行腐蚀； 酸腐蚀的混酸腐蚀溶液采用HF、HNO3和CH3COOH组成，混酸腐蚀溶液配比为HF：HNO3：CH3COOH＝12.0wt.％：35.0wt.％：15wt.％，腐蚀去除量20±2μm，腐蚀温度20±3℃； 第四步：对硅片双面进行研削加工；双面研削的削砂轮为3000目，每面去除10±1μm，研削后TTV要求小于0.3μm； 第五步：对硅片背面研削面进行粗糙化，在背面喷砂粗糙化技术中，采用1000目SiO2喷砂粉，干法喷砂压力0.09MPa； 硅片背面喷砂粗糙化时，根据背面粗糙度和光泽度要求调节加工时间，粗糙度Sa控制在200±50nm，光泽度控制在80±50Gu； 第六步：对正面进行最终抛光，抛光分为三个阶段，依次为粗抛、中抛和精抛，总去除量5±2μm；粗抛使用Suba800抛光垫，研磨液流量9±3Lmin；中抛使用Suba600抛光垫，研磨液流量9±2Lmin；精抛使用H1012抛光垫，研磨液流量2±0.2Lmin； 第七步：对抛光后的硅片清洗后在ADE9600上测试平坦度。

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