华侨大学吕天帅获国家专利权
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龙图腾网获悉华侨大学申请的专利一种超宽光谱的Cs2CdCl4 : xPb2+长余辉发光材料及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119709185B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411891097.X，技术领域涉及：C09K11/61；该发明授权一种超宽光谱的Cs2CdCl4 : xPb2+长余辉发光材料及其制备方法和应用是由吕天帅;李海松;魏展画设计研发完成，并于2024-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种超宽光谱的Cs2CdCl4 : xPb2+长余辉发光材料及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明属于长余辉发光材料技术领域，具体公开了一种超宽光谱的Cs2CdCl4:xPb2+长余辉发光材料及其制备方法和应用，其中Cs2CdCl4:xPb2+长余辉发光材料以Cs2CdCl4为基质，以Pb2+为发光复合中心，其化学通式为Cs2CdCl4:xPb2+，其中0.001≤x≤0.1。本发明的Cs2CdCl4:xPb2+长余辉发光材料晶体化学稳定性高，可被254nm紫外光或X射线有效地激发，具有UVB紫外光到可见光超宽波段的长余辉发光光谱，余辉发光时间长；无需采用高压和还原性的苛刻合成条件，在常压条件下采用溶剂热法和Cs2CdCl4:xPb2+所需的化学原料即可合成出Cs2CdCl4:xPb2+长余辉发光材料；Cs2CdCl4:xPb2+长余辉发光材料的制备条件简单，可批量工业化生产；Cs2CdCl4:xPb2+长余辉发光材料可应用于光学防伪、可穿戴设备等领域，并且不受可见光的影响。
本发明授权一种超宽光谱的Cs2CdCl4 : xPb2+长余辉发光材料及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种超宽光谱的Cs2CdCl4:xPb2+长余辉发光材料，其特征在于，以Cs2CdCl4为基质，以Pb2+为发光复合中心，其化学通式为Cs2CdCl4:xPb2+，其中0.001≤x≤0.1。
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