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重庆邮电大学罗久飞获国家专利权

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龙图腾网获悉重庆邮电大学申请的专利一种集成定位与压力检测的三电极传感器及其制造方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119714370B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411847790.7,技术领域涉及:G01D5/16;该发明授权一种集成定位与压力检测的三电极传感器及其制造方法是由罗久飞;李雨欣;杨平安;禄盛;李海青;罗智丹;马雪君;邓云春;宋鸿正设计研发完成,并于2024-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。

一种集成定位与压力检测的三电极传感器及其制造方法在说明书摘要公布了:本发明涉及传感器技术领域,特别涉及一种集成定位与压力检测的三电极传感器及其制造方法,包括依次相连的电阻定位单元、垫片、压电单元、封装层;其中,电阻定位单元用于检测受力的位置;两个垫片的上部分别连接于电阻定位单元的边缘,两个垫片的下部分别于连接压电单元的边缘,使得电阻定位单元和压电单元形成空腔结构;压电单元用于检测受力的大小;本发明中的传感器可以同时采集压力位置与压力大小,具有结构简单、信号独立、性能稳定的特点,在柔性传感、医疗器械以及机器人抓取等多个前沿领域具有极大的应用潜力。

本发明授权一种集成定位与压力检测的三电极传感器及其制造方法在权利要求书中公布了:1.一种集成定位与压力检测的三电极传感器,其特征在于,包括依次相连的电阻定位单元、垫片、压电单元、封装层;其中,电阻定位单元用于检测受力的位置;两个垫片的上部分别连接于电阻定位单元的边缘,两个垫片的下部分别于连接压电单元的边缘,使得电阻定位单元和压电单元形成空腔结构;压电单元用于检测受力的大小; 电阻定位单元由绝缘层、电阻敏感层、上电极构成;电阻敏感层设置在绝缘层的下表面,上电极设置在电阻敏感层的下表面;压电单元由中电极层、压电层、下电极层依次相连构成;传感器的绝缘层受力产生形变,使电阻敏感层与中电极层接触,上电极-电阻敏感层-中电极层形成通路,检测电阻敏感层的电阻阻值,进而判断出受力点的位置信息;上电极与中电极层实现电阻信号收集,中电极层与下电极层实现电压信号的收集,中电极层为电阻定位单元与压电单元的共同工作电极,上电极与下电极层分别与两单元独立连接,从而实现分别检测外部刺激的空间位置和压力信息。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人重庆邮电大学,其通讯地址为:400065 重庆市南岸区南山街道崇文路2号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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