合肥硅臻芯片技术有限公司张敏获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥硅臻芯片技术有限公司申请的专利一种光波导传感器及其制备方法、装置及检测方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119714380B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411910362.4,技术领域涉及:G01D5/353;该发明授权一种光波导传感器及其制备方法、装置及检测方法是由张敏;葛玉德;周兴金;龚攀设计研发完成,并于2024-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种光波导传感器及其制备方法、装置及检测方法在说明书摘要公布了:本发明提供一种光波导传感器及其制备方法、装置及检测方法,光波导传感器包括耦合模块和干涉模块;耦合模块包括第一耦合器和第二耦合器,干涉模块位于第一耦合器和第二耦合器之间;干涉模块包括传感臂和参考臂;第一耦合器的第一输出端与传感臂第一端连接,第一耦合器的第二输出端与参考臂第一端连接;第二耦合器的第一输入端与传感臂第二端连接,第二耦合器的第二输入端与参考臂第二端连接;其中,传感臂包括依次相邻设置的第一非线性渐变波导结构、第一模斑转换波导结构、传感波导结构、第二模斑转换波导结构和第二非线性渐变波导结构;采用本发明提供的光波导传感器,通过在传感臂进行多个波导结构的设计,有效提升传感器的检测精度。
本发明授权一种光波导传感器及其制备方法、装置及检测方法在权利要求书中公布了:1.一种光波导传感器,其特征在于,包括耦合模块和干涉模块; 所述耦合模块包括第一耦合器和第二耦合器,所述干涉模块位于所述第一耦合器和所述第二耦合器之间; 所述干涉模块包括传感臂和参考臂; 所述第一耦合器包括第一输出端和第二输出端,所述第一输出端与所述传感臂第一端连接,所述第二输出端与所述参考臂第一端连接;所述第二耦合器包括第一输入端和第二输入端,所述第一输入端与所述传感臂第二端连接,所述第二输入端与所述参考臂第二端连接; 其中,所述传感臂包括依次相邻设置的第一非线性渐变波导结构、第一模斑转换波导结构、传感波导结构、第二模斑转换波导结构和第二非线性渐变波导结构;所述第一非线性渐变波导结构靠近所述传感臂第一端,所述第一模斑转换波导结构位于所述第一非线性渐变波导结构远离所述传感臂第一端的一侧,所述传感波导结构位于所述第一模斑转换波导结构远离所述第一非线性渐变波导结构的一侧,所述第二模斑转换波导结构位于所述传感波导结构远离所述第一模斑转换波导结构的一侧,所述第二非线性渐变波导结构位于所述第二模斑转换波导结构远离所述传感波导结构的一侧,并且所述第二非线性渐变波导结构靠近所述传感臂第二端。
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