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龙图腾网获悉深圳平湖实验室申请的专利一种晶体管结构及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119730341B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411891067.9，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种晶体管结构及电子设备是由姜作衡;王英杰;顾怡恬设计研发完成，并于2024-12-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种晶体管结构及电子设备在说明书摘要公布了：本发明公开了一种晶体管结构及电子设备，该晶体管结构包括衬底以及位于衬底一侧的晶体管模块和钳压模块；衬底的一侧具有：缓冲层，位于衬底上，包括位于晶体管模块的第一缓冲层和位于钳压模块的第二缓冲层；势垒层，位于缓冲层上，包括位于晶体管模块的第一势垒层和位于钳压模块的第二势垒层；盖帽层，位于势垒层上，包括位于晶体管模块的第一盖帽层和位于钳压模块的第二盖帽层；源极和漏极，第一盖帽层间隔设置于源极与漏极之间；连接电极和栅极，连接电极与第一势垒层欧姆接触，栅极与第一势垒层肖特基接触；阳极和阴极，位于势垒层背离缓冲层的一侧且位于钳压模块，阴极与栅极电连接，阳极与连接电极电连接。该晶体管结构能够提高栅极可靠性。

本发明授权一种晶体管结构及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种晶体管结构，其特征在于，包括衬底以及位于所述衬底一侧的晶体管模块和钳压模块，所述晶体管模块与所述钳压模块之间存在电隔离区； 其中，所述衬底的一侧具有： 缓冲层，位于所述衬底上，包括位于所述晶体管模块的第一缓冲层和位于所述钳压模块的第二缓冲层； 势垒层，位于所述缓冲层背离所述衬底的一侧，包括位于所述晶体管模块的第一势垒层和位于所述钳压模块的第二势垒层； 盖帽层，位于所述势垒层背离所述缓冲层的一侧，包括位于所述晶体管模块内的第一盖帽层和位于所述钳压模块内的第二盖帽层； 源极和漏极，位于所述势垒层背离所述缓冲层的一侧、且位于所述晶体管模块，所述源极和漏极与所述第一势垒层欧姆接触，所述第一盖帽层间隔设置于所述源极与所述漏极之间； 连接电极和栅极，间隔设置于所述盖帽层背离所述势垒层的一侧、且位于所述晶体管模块，所述连接电极与所述第一盖帽层欧姆接触，所述栅极与所述第一盖帽层肖特基接触； 阳极和阴极，位于所述势垒层背离所述缓冲层的一侧、且位于所述钳压模块，所述阴极与所述栅极电连接，所述阳极与所述连接电极电连接； 所述钳压模块用于将所述阳极与所述阴极之间的电压钳位在预设稳压值之内。

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