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龙图腾网获悉北京大学申请的专利倒装堆叠晶体管的制备方法、晶体管、器件及设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119730364B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411581005.8，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权倒装堆叠晶体管的制备方法、晶体管、器件及设备是由吴恒;彭莞越;王润声;黎明;黄如设计研发完成，并于2024-11-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本倒装堆叠晶体管的制备方法、晶体管、器件及设备在说明书摘要公布了：本申请提供一种倒装堆叠晶体管的制备方法、晶体管、器件及设备。其中，制备方法包括：在衬底上形成依次堆叠的第一半导体结构和第二半导体结构；刻蚀位于源漏区域内的第一半导体结构和第二半导体结构，并在第一半导体结构对应的第一源漏区域内填充绝缘材料，以形成填充结构；通过前道工艺，基于第二半导体结构，形成第三半导体结构，第三半导体结构包括第一源漏结构；倒片并去除衬底和填充结构，以暴露第一半导体结构，基于第一半导体结构，形成第四半导体结构，第四半导体结构至少包括第二源漏结构；基于第三半导体结构和第四半导体结构，多次倒片分别形成第一晶体管和第二晶体管。本申请通过多次倒片的方式，提高了整体器件制备过程的热预算。

本发明授权倒装堆叠晶体管的制备方法、晶体管、器件及设备在权利要求书中公布了：1.一种倒装堆叠晶体管的制备方法，其特征在于，包括： 在衬底上形成依次堆叠的第一半导体结构和第二半导体结构； 在衬底上形成隔离结构，以暴露所述第一半导体结构和所述第二半导体结构； 在所述隔离结构上沉积半导体材料，以形成环绕所述第一半导体结构的第一伪栅结构； 在所述第一伪栅结构上形成栅极隔离结构； 在所述栅极隔离结构上沉积半导体材料，以形成环绕所述第二半导体结构的第二伪栅结构； 刻蚀位于源漏区域内的第一半导体结构和第二半导体结构，并在所述第一半导体结构对应的第一源漏区域内填充绝缘材料，以形成填充结构； 通过前道工艺，基于所述第二半导体结构，形成第三半导体结构，所述第三半导体结构包括在第二源漏区域形成的第一源漏结构，所述第二源漏区域与所述第二半导体结构对应； 对所述第三半导体结构进行倒片，并去除所述衬底以及所述填充结构，以暴露所述第一半导体结构，所述第一半导体结构包括所述第一源漏区域； 在所述第一源漏区域处外延生长所述第二源漏结构； 去除所述第一伪栅结构，形成第四半导体结构中的第二栅极结构；所述第四半导体结构至少包括在所述第一源漏区域形成的第二源漏结构； 基于所述第三半导体结构和所述第四半导体结构，分别形成第一晶体管和第二晶体管。

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