电子科技大学李发明获国家专利权
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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种钙钛矿薄膜的制备方法及反式钙钛矿太阳能电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119730664B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411876083.0，技术领域涉及：H10K71/12；该发明授权一种钙钛矿薄膜的制备方法及反式钙钛矿太阳能电池是由李发明;唐彬;刘明侦;弓爵设计研发完成，并于2024-12-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种钙钛矿薄膜的制备方法及反式钙钛矿太阳能电池在说明书摘要公布了：本发明属于光伏电池技术领域，具体涉及一种钙钛矿薄膜的制备方法及反式钙钛矿太阳能电池，先基于CsI、FAI、MAI、MACL和PbI2配制钙钛矿前驱体溶液，再向钙钛矿前驱体溶液中加入添加剂四氟丁二酸酐，经退火制得钙钛矿薄膜。在薄膜生长过程中，由于四氟丁二酸酐具有C＝O基团，会与钙钛矿前驱体溶液中的Pb2+发生相互配位，从而减少Pb2+的非配位缺陷，减少非辐射复合中心、降低了缺陷密度、提高了薄膜的完整性，并且有助于提高钙钛矿薄膜的结晶质量。综上，本发明有效改善了现有钙钛矿薄膜存在大量缺陷，导致薄膜质量较低，严重制约了钙钛矿太阳能电池的性能等问题。
本发明授权一种钙钛矿薄膜的制备方法及反式钙钛矿太阳能电池在权利要求书中公布了：1.一种钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1、将CsI：FAI、MAI、MACL和PbI2，按照摩尔比0.1:0.85:0.05:0.15:1预混合后，添加溶剂进行分散，制得钙钛矿前驱体A溶液；所述溶剂为DMF与DMSO按照体积比4:1混合而成的混合溶剂； 步骤2、在钙钛矿前驱体A溶液中加入添加剂0.5mg~1.5mg四氟丁二酸酐，得到钙钛矿前驱体B溶液； 步骤3、采用旋涂法将钙钛矿前驱体B溶液旋涂于衬底上，经退火制得钙钛矿薄膜。
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