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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种初始相均匀的宽带隙钙钛矿薄膜与反式钙钛矿太阳电池的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119730673B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411903186.1，技术领域涉及：H10K71/30；该发明授权一种初始相均匀的宽带隙钙钛矿薄膜与反式钙钛矿太阳电池的制备方法是由刘明侦;黄正鑫;李发明设计研发完成，并于2024-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种初始相均匀的宽带隙钙钛矿薄膜与反式钙钛矿太阳电池的制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于太阳能电池技术领域，具体为一种初始相均匀的宽带隙钙钛矿薄膜与反式钙钛矿太阳电池的制备方法，是将含有K离子的添加剂溶液与宽带隙钙钛矿太阳能前驱体溶液相混合，旋涂于衬底上，经退火制得宽带隙钙钛矿薄膜。本发明通过在钙钛矿前驱体溶液中引入K离子作为添加剂，优化了宽带隙钙钛矿薄膜在结晶过程中由于卤素离子成核速率不同，导致的初始相分离现象。这一策略不仅促进了钙钛矿薄膜中晶体的均匀生长，还有效抑制了因初始相不均匀引发的缺陷密度大、以及光照条件下卤素离子迁移等问题，减少了反式钙钛矿太阳能电池在开路条件下的电压损耗，从而实现了更高的光电转换效率和更优的长期稳定性。

本发明授权一种初始相均匀的宽带隙钙钛矿薄膜与反式钙钛矿太阳电池的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种初始相均匀的宽带隙钙钛矿薄膜制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1、配置宽带隙钙钛矿前驱体溶液： 将CsI、MAI、FAI、PbBr2和PbCl2按0.1:0.1:0.8:0.9:0.1的摩尔比溶解进混合溶剂中，并搅拌得到宽带隙钙钛矿前驱体溶液；混合溶剂由N，N-二甲基甲酰胺DMF与二甲基亚砜DMSO组成，且DMF与DMSO的体积比为4:1； 将KX按摩尔浓度小于1molL且大于0.1molL溶解进二甲基亚砜DMSO中，并搅拌得到添加剂溶液；配置添加剂溶液使用的KX中的X为卤素离子，包括I-、Br-、Cl-、离子半径相近的类卤素及其混合体系； 步骤2、将配置的添加剂溶液加入宽带隙钙钛矿前驱体溶液中，制得到优化后的宽带隙钙钛矿前驱体溶液；所加入的添加剂溶液在前驱体溶液中的摩尔浓度为1%molL以下但不为0molL； 步骤3：采用旋涂法将优化后的宽带隙钙钛矿前驱体溶液通过旋涂仪旋涂于衬底层上，经退火，制得初始相均匀的宽带隙钙钛矿薄膜；所述旋涂在衬底材料的过程分为两个阶段，具体为： 第一阶段旋涂仪的转速为1000~2000rpm，持续时间为1000s，第二阶段的转速为4000~5000rpm，时间为40s； 在第二阶段开始第20~25s将0.1~0.2mL的氯苯反溶剂滴加于旋转的衬底表面上； 第二阶段旋涂结束后，将所得产品置于热台上，在100~120℃温度范围下退火10~15min，得到初始相均匀的宽带隙钙钛矿薄膜。

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