杭州中欣晶圆半导体股份有限公司郭天天获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州中欣晶圆半导体股份有限公司申请的专利基于算法进行硅片颗粒叠图自动判定的方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119738338B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411819728.7,技术领域涉及:G01N15/10;该发明授权基于算法进行硅片颗粒叠图自动判定的方法是由郭天天设计研发完成,并于2024-12-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于算法进行硅片颗粒叠图自动判定的方法在说明书摘要公布了:本发明涉及一种基于算法进行硅片颗粒叠图自动判定的方法,所属硅片检测技术领域,使用SPX机台测试且进行叠图的12英寸硅片,包括如下操作步骤:第一步:以硅片圆心为原点,划分为第一象限、第二象限、第三象限、第四象限。第二步:以硅片圆心为原点,35mm、100mm、142mm为半径,分别得到ZONE1、ZONE2、ZONE3区域。第三步:ONE1+ZONE2+ZONE3缺陷数量大于1000判定NG,小于15判定OK,15~1000之间进入下一步。第四步:四个象限的缺陷数两两互比,存在比值>6时判定OK,否则进行下一步。第五步:三个区域按照缺陷数量与相对密度进行分类。第六步:以上条件均不满足时,判为OK。具有操作便捷和判断稳定性好的优点。在考虑到COP硅片specialpattern特征的同时又能排除主观因素干扰。
本发明授权基于算法进行硅片颗粒叠图自动判定的方法在权利要求书中公布了:1.一种基于算法进行硅片颗粒叠图自动判定的方法,其特征在于:使用SPX机台测试且进行叠图的12英寸硅片,包括如下操作步骤: 第一步:以硅片圆心为原点,划分为第一象限、第二象限、第三象限、第四象限; 第二步:以硅片圆心为原点,35mm、100mm、142mm为半径,分别得到ZONE1、ZONE2、ZONE3区域; ZONE1为绿色圆形区域,ZONE2为红色圆环区域,ZONE3为黄色圆环区域;计算三部分区域面积比,得到ZONE1:ZONE2:ZONE3=1:7.16:8.3; 通过颗粒测试后的Klarf文件,筛选出需要考虑的缺陷,详细计算各个区域内的缺陷数量,用颗粒数量面积比,得到各个区域之间的相对密度; 第三步:ZONE1+ZONE2+ZONE3缺陷数量大于1000判定NG,小于15判定OK,15~1000之间进入下一步; 第四步:四个象限的缺陷数两两互比,存在比值>6时判定OK,否则进行下一步; 第五步:三个区域,按照缺陷数量与相对密度进行分类; ZONE1相对密度最大,相对密度为ZONE2相对密度的2倍及以上,同时ZONE1的缺陷数大于10颗,判定为NG,模式为中心聚集; ZONE3相对密度最大,相对密度为ZONE2相对密度的3.2倍及以上,同时ZONE3的缺陷数大于60颗,判为NG,模式为边缘聚集; 第六步:以上条件均不满足时,判为OK。
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