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龙图腾网获悉无锡尚积半导体科技股份有限公司申请的专利一种等离子体增强物理气相沉积方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119753578B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411775224.X，技术领域涉及：C23C14/22；该发明授权一种等离子体增强物理气相沉积方法是由张陈斌;张超;蔡三勇;宋永辉;王世宽设计研发完成，并于2024-12-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种等离子体增强物理气相沉积方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种等离子体增强物理气相沉积方法，包括以下步骤：1a、在金属遮件表面依次形成高阻金属氧化物和金属薄膜保护层，并产生负电势；或者b、通过磁控溅射方法，在绝缘遮件上沉积金属薄膜保护层，并产生负电势；2磁控溅射制备金属膜：将基底传输至载台上，将环状金属挡片提升至遮件内，通入一定流量氩气形成辉光放电等离子体，等离子体与溅射金属原子碰撞产生大量金属离子，在基底上形成金属膜；3将PVD真空腔体内遮件表面的电荷消除并初始化。本发明在金属遮件表面形成高阻金属氧化物和金属薄膜保护层或在绝缘遮件上形成金属薄膜保护层，并产生负电势，能够增强金属薄膜溅射时的等离子体密度，提升金属薄膜台阶覆盖率。

本发明授权一种等离子体增强物理气相沉积方法在权利要求书中公布了：1.一种等离子体增强物理气相沉积方法，其特征在于，包括以下步骤： 1a、在腔体内遮件表面形成高阻金属氧化物，在所述高阻金属氧化物上形成金属薄膜保护层，并产生负电势，所述遮件采用金属遮件；或者 b、通过磁控溅射方法，在遮件上沉积一定厚度的金属薄膜保护层，并产生一定负电势，所述遮件采用绝缘遮件； 2磁控溅射制备金属膜：将基底传输至载台上，将环状金属挡片提升至遮件内，通入一定流量氩气形成辉光放电等离子体，PVD真空腔体内遮件表面积累的电子将抑制后续溅射时电子继续向内壁遮件表面移动，电子密度增强，电子与氩原子碰撞产生更多氩正离子和电子，等离子体密度提升，密度提升的等离子体与溅射金属原子碰撞产生大量金属离子，载台由于施加射频功率产生负偏置电压，引导金属离子加速定向沉积到所述基底上形成金属膜； 3将PVD真空腔体内遮件表面的电荷消除并初始化； 步骤2和3中所述遮件为金属遮件或绝缘遮件，并且步骤2和步骤3中所述遮件与步骤1中遮件的种类一致。

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