北京邮电大学邱吉芳获国家专利权
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龙图腾网获悉北京邮电大学申请的专利一种高效低损耗钛酸钡电光调制器芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119758621B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411971299.5，技术领域涉及：G02F1/035；该发明授权一种高效低损耗钛酸钡电光调制器芯片及其制备方法是由邱吉芳;冯亚琪;伍剑设计研发完成，并于2024-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高效低损耗钛酸钡电光调制器芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及光电器件制备技术领域，尤其涉及一种高效低损耗钛酸钡电光调制器芯片及其制备方法，钛酸钡电光调制器芯片包括衬底层、缓冲薄膜层、钛酸钡薄膜层、第一保护层、氮化硅薄膜、第二保护层和两个电极，通过钛酸钡薄膜层上的钛酸钡波导和氮化硅薄膜的氮化硅波导组成氮化硅+钛酸钡的多层波导材料结构，基于氮化硅波导的低损耗特性进行光的传输，调制时，光信号通过氮化硅波导和钛酸钡波导的层间耦合进入钛酸钡波导，通过电极施加电场改变钛酸钡波导的折射率，并基于钛酸钡波导的高电光系数特性进行信号的调制，调制完成后再进入氮化硅波导进行传输，输出调制后的光信号，实现电光调制器芯片传输光信号过程的低损耗，提高光信号的调制效率。
本发明授权一种高效低损耗钛酸钡电光调制器芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高效低损耗钛酸钡电光调制器芯片，其特征在于，包括： 衬底层1； 缓冲薄膜层2，生长于所述衬底层1上； 钛酸钡薄膜层3，生长于所述缓冲薄膜层2上，所述钛酸钡薄膜层3上形成有钛酸钡波导31； 第一保护层4，沉积在所述钛酸钡薄膜层3上； 氮化硅薄膜，生长于所述第一保护层4上，所述氮化硅薄膜经过刻蚀以在所述钛酸钡波导31上方位置形成氮化硅波导5，所述氮化硅波导5和所述钛酸钡波导31分别朝着所述第一保护层4形成逐渐变窄的梯形部，以组成层间耦合器； 第二保护层6，沉积在所述氮化硅波导5和所述第一保护层4上； 两个电极7，沉积在所述第二保护层6上，且位于所述钛酸钡波导31两侧，以对所述钛酸钡波导31形成电场覆盖。
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