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龙图腾网获悉兰州大学申请的专利增强型电磁轨道有限元模拟方法和装置、系统、存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119783472B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510174024.7，技术领域涉及：G06F30/23；该发明授权增强型电磁轨道有限元模拟方法和装置、系统、存储介质是由刘东辉;孙搏;束智炀;唐韵开;雍华东设计研发完成，并于2025-02-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本增强型电磁轨道有限元模拟方法和装置、系统、存储介质在说明书摘要公布了：本发明公开一种增强型电磁轨道有限元模拟方法和装置、系统、存储介质，包括：步骤S1、通过电磁模块在弹丸位于初始位置且通入电流时，产生电磁力；其中，通过电流在增强轨中的循环流动，实现对轨道的性能增强；通过接触电阻的弱贡献形式实现对接触电阻的模拟；步骤S2、通过力学模块使过盈装配将电枢装进轨道，电磁力使电枢获得加速度和速度；其中，电枢运动产生位移导致网格形变；步骤S3、电磁模块通过移动网格，实现对电枢位移的控制。采用本发明的技术方案，无需再建立接触层，大大减少了计算的复杂度；同时可以对平行式增强型轨道的增强效果进行定量评估。

本发明授权增强型电磁轨道有限元模拟方法和装置、系统、存储介质在权利要求书中公布了：1.一种增强型电磁轨道有限元模拟方法，其特征在于，包括： 步骤S1、通过电磁模块在弹丸位于初始位置且通入电流时，产生电磁力；其中，通过电流在增强轨中的循环流动，实现对轨道的性能增强；通过接触电阻的弱贡献形式实现对接触电阻的模拟； 步骤S2、通过力学模块使过盈装配将电枢装进轨道，电磁力使电枢获得加速度和速度；其中，电枢运动产生位移导致网格形变； 步骤S3、电磁模块通过移动网格，实现对电枢位移的控制； 通过能量变分方法得到电磁轨道模型中接触电阻的弱贡献形式为： 其中，为微分算子，E为电场强度；B为磁感应强度；H为磁场强度；t为时间；Ht为切向磁场强度；δ为变分符号；选取一包围弹丸和轨道的计算域，轨道被包围的区域为V1，弹丸被包围的区域为V2，轨道与弹丸之间的接触层为V3；令接触层V3的厚度趋近于0，接触层V3视为一个表面，采用St来表示；Γ为包围计算区域的一条闭合曲线；Rct为接触面的电阻率；V、S1分别为计算区域的体积与表面积；表示当电流流过接触层时损失的能量，接触电阻即为电流通过接触面时的能量损失。

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