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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种DSRD器件的非线性电容模型的建模及应用方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119783614B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411927792.7，技术领域涉及：G06F30/367；该发明授权一种DSRD器件的非线性电容模型的建模及应用方法是由孙乐嘉;陈娅慧;宋庆文;郭京凯;汤晓燕;张玉明设计研发完成，并于2024-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种DSRD器件的非线性电容模型的建模及应用方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种DSRD器件的非线性电容模型的建模及应用方法，建模方法包括以下步骤：对非线性电容进行拆分，建立DSRD器件非线性电容的电流表达式；根据DSRD器件非线性电容的电流表达式和DSRD器件的工作原理，构建DSRD器件的非线性电容待拟合模型；根据最佳模型CV曲线更新DSRD器件的非线性电容待拟合模型中的待拟合参数，得到DSRD器件的非线性电容模型。通过本发明提供的DSRD器件的非线性电容模型的建模方法所建立的DSRD器件的非线性电容模型，能够实现了全电压范围内DSRD非线性电容的准确拟合，能够实现脉冲上升时间的精准仿真。

本发明授权一种DSRD器件的非线性电容模型的建模及应用方法在权利要求书中公布了：1.一种DSRD器件的非线性电容模型的建模方法，其特征在于，包括以下步骤： 获取DSRD器件的实测CV曲线； 对非线性电容进行拆分，建立DSRD器件非线性电容的电流表达式； 根据所述DSRD器件非线性电容的电流表达式和DSRD器件的工作原理，构建DSRD器件的非线性电容待拟合模型； 所述DSRD器件的非线性电容待拟合模型包括：压控电流源Gs、电压源VS3、电阻RS、压控电压源E3、电压源VS4和线性电容，其中， 所述压控电流源Gs、所述电压源VS3和所述电阻RS串联成第一回路； 所述压控电压源E3、所述电压源VS4和所述线性电容串联成第二回路； 所述第一回路和所述第二回路均接地； 所述第一回路的电流； 所述第二回路的电流； 其中，为非线性函数，表示微分； 所述压控电流源Gs的控制电压为DSRD器件两端的电压，所述压控电流源Gs的输出电流为所述非线性函数； 所述电压源VS3和所述电压源VS4的电压值均为0； 所述压控电压源E3的输出电压和输入电压均为DSRD器件两端的电压； 所述电阻RS用于确保所述DSRD器件的非线性电容模型在仿真过程中的收敛性； 改变所述DSRD器件的非线性电容待拟合模型的模型参数，仿真获得若干模型CV曲线，所述模型参数为线性电容； 在数学软件中拟合所述实测CV曲线和所述若干模型CV曲线，根据拟合结果，获取所述若干模型CV曲线中的最佳模型CV曲线； 根据所述最佳模型CV曲线更新所述DSRD器件的非线性电容待拟合模型中的待拟合参数，得到DSRD器件的非线性电容模型，所述待拟合参数为线性电容和非线性函数。

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