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龙图腾网获悉北京大学申请的专利堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119815902B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411881254.9，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件是由吴恒;郭睿;卢浩然;张立宁;王润声;黎明;黄如设计研发完成，并于2024-12-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件在说明书摘要公布了：本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件。方法包括：在半导体衬底上形成鳍状结构，鳍状结构包括沿第一方向堆叠的第一部分和第二部分，基于第一部分，形成至少一个第一晶体管，第一晶体管包括：沿第二方向依次排布的第一漏极结构、第一栅极结构和第一源极结构；倒片并去除半导体衬底；基于第二部分，形成至少一个第二晶体管，第二晶体管包括：沿第二方向依次排布的第二漏极结构、第二栅极结构和第二源极结构；第二栅极结构与第一漏极结构沿第一方向堆叠，第二漏极结构与第一栅极结构沿第一方向堆叠；形成连通第二漏极结构和第一栅极结构的第一金属互连通孔，以及形成连通第二栅极结构与第一漏极结构的第二金属互连通孔。

本发明授权堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种堆叠晶体管的制备方法，其特征在于，包括： 在半导体衬底上形成鳍状结构，其中，所述鳍状结构包括沿第一方向堆叠的第一部分和第二部分，所述第一部分相比于所述第二部分靠近所述半导体衬底； 基于所述第一部分，形成至少一个第一晶体管，其中，所述第一晶体管包括：沿第二方向依次排布的第一漏极结构、第一栅极结构和第一源极结构；所述第二方向与所述第一方向垂直； 倒片并去除所述半导体衬底； 基于所述第二部分，形成至少一个第二晶体管，其中，所述第二晶体管包括：沿第二方向依次排布的第二源极结构、第二栅极结构和第二漏极结构；所述第二栅极结构与所述第一漏极结构沿第一方向堆叠，所述第二漏极结构与所述第一栅极结构沿第一方向堆叠； 形成连通所述第二漏极结构和所述第一栅极结构的第一金属互连通孔，以及形成连通所述第二栅极结构与所述第一漏极结构的第二金属互连通孔； 其中，所述基于所述第二部分，形成至少一个第二晶体管，包括：基于所述第二部分，形成沿第二方向依次交替排布所述第二源极结构和所述第二漏极结构；基于所述第二部分，在所述第二源极结构和所述第二漏极结构之间，形成所述第二栅极结构和第二单扩散隔离结构，以使所述第二源极结构、所述第二栅极结构、所述第二漏极结构和所述第二单扩散隔离结构依次排布；其中，所述第二单扩散隔离结构与所述第一源极结构沿第一方向堆叠；所述第二源极结构与所述第一晶体管中的第一单扩散隔离结构沿第一方向堆叠；一个所述第二栅极结构与相邻的所述第二源极结构、所述第二漏极结构形成一个所述第二晶体管；所述第二单扩散隔离结构用于电学隔离相邻两个第二晶体管。

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