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龙图腾网获悉北京大学申请的专利堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管、器件及设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119815903B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411916365.9，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管、器件及设备是由吴恒;彭莞越;蒋婧儒;许晓燕;黎明;黄如设计研发完成，并于2024-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管、器件及设备在说明书摘要公布了：本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管、器件及设备，方法包括：在衬底上形成半导体结构，半导体结构至少包括依次堆叠的牺牲层、第一半导体结构和第二半导体结构；刻蚀源漏区域的半导体结构，并在源漏区域的牺牲层对应的区域内填充绝缘材料，以形成占位结构；在占位结构上，通过前道工艺，基于第一半导体结构，形成第一晶体管的第一部分，第一部分至少包括第一源漏结构；基于第二半导体结构，形成第二晶体管；对第二晶体管进行倒片，并暴露占位结构；去除占位结构，以形成第一晶体管的第一源漏接触金属；通过后道工艺，在第一源漏接触金属上形成第一晶体管的第一金属互连层。本申请可以实现顶部晶体管与底部晶体管的自对准接触。

本发明授权堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管、器件及设备在权利要求书中公布了：1.一种堆叠晶体管的制备方法，其特征在于，所述方法包括： 在衬底上形成半导体结构，所述半导体结构包括依次堆叠的牺牲层、第一半导体结构和第二半导体结构； 刻蚀源漏区域的半导体结构，并在源漏区域的牺牲层对应的区域内填充绝缘材料，以形成占位结构； 在所述占位结构上，通过前道工艺，基于所述第一半导体结构，形成第一晶体管的第一部分，所述第一部分至少包括第一源漏结构； 基于所述第二半导体结构，形成第二晶体管； 对所述第二晶体管进行倒片，并去除所述衬底，以暴露栅极区域内的牺牲层和所述源漏区域内的占位结构； 去除所述占位结构，以形成所述第一晶体管的第一源漏接触金属； 去除所述栅极区域内的牺牲层，以形成第一凹槽； 在所述第一凹槽内填充金属材料，以形成所述第一晶体管的栅极接触金属； 在所述栅极接触金属和所述第一源漏接触金属上，形成所述第一晶体管的第一金属互连层，其中，所述栅极接触金属的一侧与所述第一晶体管的第一栅极结构连接，所述栅极接触金属的另一侧与所述第一金属互连层连接。

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