买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉中山大学申请的专利基于多界面应变补偿的带间级联光电探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119815986B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411825416.7，技术领域涉及：H10F77/14；该发明授权基于多界面应变补偿的带间级联光电探测器及其制备方法是由金运姜;李勇;陈泽锋;黄晓敏设计研发完成，并于2024-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于多界面应变补偿的带间级联光电探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了基于多界面应变补偿的带间级联光电探测器及其制备方法，所述探测器结构所述探测器结构结构由下至上依次包括：衬底、N型接触层、M层台阶级联结构层以及P型接触层，其中，所述衬底采用GaSb材料，所述台阶级联结构层的层数M为正整数；所述N型接触层为多界面应变补偿的超晶格结构。所述N型接触层和台阶级联结构层采用多层界面实现应变补偿。本发明实现了锑基高性能的带间级联光电探测器的高质量生长。

本发明授权基于多界面应变补偿的带间级联光电探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.基于多界面应变补偿的带间级联光电探测器，其特征在于，所述探测器结构由下至上依次包括：衬底1、N型接触层2、M层台阶级联结构层3以及P型接触层4，其中，所述衬底1采用GaSb材料，所述台阶级联结构层3的层数M为正整数；所述N型接触层2为多界面应变补偿的超晶格结构；所述P型接触层4采用GaSb材料； 所述台阶级联结构层2由下至上包括空穴势垒层331、吸收层332以及电子势垒层333，其中所述空穴势垒层为多界面应变补偿的超晶格结构； 所述空穴势垒层331采用多周期的22单分子层InAs4单分子层AlSb超晶格材料，所述空穴势垒层331包括若干InAs层以及若干AlSb层，其中所述InAs层插入若干InSb界面层； 所述吸收层332采用8单分子层InAs8单分子层GaSb超晶格材料； 所述电子势垒层333采用4单分子层AlSb13单分子层GaSb超晶格材料； InAs层厚度为22单分子层，AlSb层厚度为4单分子层，InSb界面层数量设置为3层，单界面厚度控制在0.8单分子层； InAsAlSbSL结构生长过程源炉快门设置方式1，具体顺序为SbInInAsInSbSbInInAsInSbAlSb； InAsAlSbSL结构生长过程源炉快门设置方式2，具体顺序为：InSboInAsoInSboInAsoInSboAlSb。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中山大学，其通讯地址为：510275 广东省广州市海珠区新港西路135号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。