河南中灯实业有限公司王冬冬获国家专利权
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龙图腾网获悉河南中灯实业有限公司申请的专利一种LED芯片及使用其的航空障碍灯获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119816028B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411709976.6，技术领域涉及：H10H20/84；该发明授权一种LED芯片及使用其的航空障碍灯是由王冬冬;孙战岭设计研发完成，并于2024-11-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种LED芯片及使用其的航空障碍灯在说明书摘要公布了：本发明涉及一种LED芯片及使用其的航空障碍灯。LED芯片的基板上表面为倾斜上表面，基板的上表面倾角为θ1；基板的倾斜上表面内设有多个斜凹槽，斜凹槽的右底面和基板上表面的夹角为θ2；在斜凹槽内的半导体层上，设有高折射率的折光层，折光层使右底上的LED半导体层竖直出射的光线经过折光层后，向左因光折射而偏移θ多折。LED芯片通过θ1+θ2+θ多折，即使LED芯片水平贴装，LED芯片半导体层发射的光线也能够向水平方向大角度的弯折，而不需要封装透镜和外部反射器，同时通过优化电极结构等，芯片不会因为基板右侧较厚而散热困难或开裂。
本发明授权一种LED芯片及使用其的航空障碍灯在权利要求书中公布了：1.一种LED芯片，包括基板，以及位于基板上的半导体层，半导体层包括由下至上依次设置的n型层、发光层和p型层；其特征在于，基板上表面为倾斜上表面，基板从左向右厚度直线增加，基板的倾斜上表面和水平面的夹角为θ1；基板的倾斜上表面内设有多个斜凹槽，斜凹槽具有右底面和左底面，二者在交叉处相互垂直，斜凹槽为三棱柱型或者类三棱柱型，斜凹槽的右底面和基板上表面的夹角为θ2；在斜凹槽内的半导体层上，设有折射率大于1.4的高折射率的折光层，折光层从基板斜凹槽的右上部起点向左下部逐渐变厚，遮光层的底面和顶面的夹角为θ4，折光层使右底上的LED半导体层出射的光线经过折光层时，向左因光折射而偏移θ多折；斜凹槽右底面上的LED半导体层最终发出的出射光，相对于基板下底面所在平面，向左偏移的度数为θ1+θ2+θ多折；所述半导体层设置在基板倾斜上表面上、斜凹槽右底面上和斜凹槽左底面上。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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