中国科学院半导体研究所秦豪杰获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利单模半导体微腔激光器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119834057B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510029503.X，技术领域涉及：H01S5/10；该发明授权单模半导体微腔激光器是由秦豪杰;董云晓;黄永箴;杨跃德;肖金龙设计研发完成，并于2025-01-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本单模半导体微腔激光器在说明书摘要公布了：本公开提供了一种单模半导体微腔激光器，该激光器包括：N型衬底；回音壁微腔，位于N型衬底上，回音壁微腔的面积小于N型衬底的面积；波导，设置在N型衬底上，连接回音壁微腔的预设输出端。本公开的单模半导体微腔激光器能够实现在微腔中调控光的模场分布，最终得到稳定可控的单模激射，满足相干光通信系统对光源的要求，从而实现大容量、长距离的数据传输。
本发明授权单模半导体微腔激光器在权利要求书中公布了：1.一种单模半导体微腔激光器，其特征在于，包括： N型衬底； 回音壁微腔，位于N型衬底上，所述回音壁微腔的面积小于所述N型衬底的面积，所述回音壁微腔由正方形变形得到的两个弧边四边形部分相交组合而成，所述两个弧边四边形的两个弧边变形量和分别为： 其中，a1、a2、r1及r2分别表示两个弧边四边形的原正方形的边长和弧边半径； 波导，设置在所述N型衬底上，连接所述回音壁微腔的预设输出端。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院半导体研究所，其通讯地址为：100083 北京市海淀区清华东路甲35号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励