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龙图腾网获悉黑龙江汇芯半导体有限公司申请的专利基于滞回比较器的温度保护电路及具备其的智能功率模块获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119852938B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510249536.5，技术领域涉及：H02H5/04；该发明授权基于滞回比较器的温度保护电路及具备其的智能功率模块是由冯宇翔;谢荣才;区肇栋;单联瑜;文健;谢颖熙;郭家杰设计研发完成，并于2025-03-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于滞回比较器的温度保护电路及具备其的智能功率模块在说明书摘要公布了：本发明涉及智能功率模块技术领域，尤其涉及基于滞回比较器的温度保护电路及具备其的智能功率模块，该电路包括：基准电流源模块连接温度检测电路，温度检测电路通过电阻R1连接滞回比较器正输入端；电阻R1的一端和滞回比较器正输入端连接电阻Rf一端，电阻Rf另一端连接滞回比较器正输出端；基准电流源模块通过电阻R连接滞回比较器负输入端；温度检测电路检测高压集成电路实时温度并输出对应电压信号，当其超过或低于设定阈值电压时，滞回比较器通过内部开通或关断控制高压集成电路与电源断开或连通。本发明能够实现有效提高温度保护电路抗干扰能力，保护集成智能功率模块免受高温度而损坏，进而提高智能功率模块的可靠性及其市场竞争力。

本发明授权基于滞回比较器的温度保护电路及具备其的智能功率模块在权利要求书中公布了：1.一种基于滞回比较器的温度保护电路，其特征在于，包括：基准电流源模块、温度检测电路以及滞回比较器； 所述基准电流源模块连接所述温度检测电路，所述温度检测电路通过电阻R1连接所述滞回比较器的正输入端；所述基准电流源模块包括：基准电流源电路和电流校正电路； 所述电流校正电路包括：电阻R3a、电阻R3b、MOS管M3以及三极管Q3；电阻R3a和电阻R3b的一端连接基准电流源电路运放OP，另一端连接MOS管M3；电流校正电路MOS管M3分别连接基准电流源电路VCC电源以及基准电流源电路MOS管M2；电流校正电路三极管Q3分别连接电阻R3a和电阻R3b另一端以及MOS管M3； 所述基准电流源电路包括：MOS管M1、M2，运放OP，电阻R2a、R2b、R11以及三极管组Q1、Q2；MOS管M1的D极与MOS管M2的D极连接电源VCC，MOS管M1的G极、MOS管M2的G极与运放OP的输出端连接；MOS管M1的S极、运放OP的负输入端、电阻R2a的一端与三极管Q1的C极连接；MOS管M2的S极、运放OP的正输入端、电阻R2b的一端与电阻R11的一端连接；三极管Q1、Q2的B极、E极、电阻R2a的另一端与电阻R2b的另一端连接GND； 所述电阻R11、电阻R2a、电阻R3a的阻值满足等式5-1和5-2； KlnNqR11=Vg0-VBETrTr*R2a5-1； η-1R2a=1R3a5-2； 式中：K为玻尔兹曼常数，其值为1.380×10-23JK；N为三极管Q1和Q2的发射极面积之比；q为电子的电荷量大小，其值为1.602×10-19C；Vg0为温度T=0K时硅的导带底和价带顶之间的电势差；VBETr为温度Tr下的电压；Tr为参考温度；η为与工艺相关的常数； 所述电阻R1的一端以及滞回比较器的正输入端，连接电阻Rf的一端，电阻Rf的另一端连接滞回比较器的正输出端； 所述基准电流源模块通过电阻R连接所述滞回比较器的负输入端； 所述温度检测电路用于检测高压集成电路实时温度并输出对应的电压信号，所述滞回比较器用于当所述电压信号超过或低于设定阈值电压时，控制高压集成电路与电源断开或连通； 所述基准电流源模块连接电阻R2，所述基准电流源模块用于为滞回比较器和温度检测电路提供与温度无关的基准电流。

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