西安电子科技大学芜湖研究院;西安电子科技大学潘恩赐获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉西安电子科技大学芜湖研究院;西安电子科技大学申请的专利一种自减反结构SiC基紫外光电二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119866107B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411953033.8，技术领域涉及：H10F77/30；该发明授权一种自减反结构SiC基紫外光电二极管及其制备方法是由潘恩赐;韩超;杜丰羽设计研发完成，并于2024-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种自减反结构SiC基紫外光电二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种自减反结构SiC基紫外光电二极管及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括：依次层叠设置的阴极、欧姆接触层、衬底、外延层和钝化层；隔离层，包括多个阵列排布在钝化层上表面的隔离单元，隔离单元呈现鼓包状；肖特基接触层，位于钝化层的上表面，且位于相邻隔离单元之间；阳极，位于肖特基接触层的上表面；保护层，位于部分阳极的上表面，以及位于暴露出的隔离单元的上表面。本发明能够提高器件的光电探测性能。
本发明授权一种自减反结构SiC基紫外光电二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种自减反结构SiC基紫外光电二极管，其特征在于，包括： 依次层叠设置的阴极、欧姆接触层、衬底、外延层和钝化层； 隔离层，包括多个阵列排布在所述钝化层上表面的隔离单元，所述隔离单元呈现鼓包状，具有光减反增透功能；所述隔离单元的材料包括碱土掺杂氧化硅； 肖特基接触层，位于所述钝化层的上表面，且位于相邻所述隔离单元之间； 阳极，位于所述肖特基接触层的上表面； 保护层，位于部分所述阳极的上表面，以及位于暴露出的所述隔离单元的上表面。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西安电子科技大学芜湖研究院;西安电子科技大学，其通讯地址为：241002 安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区科技产业园7号楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励