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龙图腾网获悉河北工业大学申请的专利具有双通道空穴注入功能的LED的芯片结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119866114B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510044667.X，技术领域涉及：H10H20/816；该发明授权具有双通道空穴注入功能的LED的芯片结构及其制备方法是由张紫辉;李文杰;张勇辉设计研发完成，并于2025-01-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有双通道空穴注入功能的LED的芯片结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明为具有双通道空穴注入功能的LED的芯片结构及其制备方法。该结构在P型GaN层上外延生长三明治结构的本征层和N型GaN层，即让P区上方的GaN层完全吸收光子，在材料吸收光子后，产生光生电子和空穴，通过调节该部分材料的电场，光生空穴能够重新注入量子阱并通过辐射复合发射光子，从而有效避免了传统方法中顶部GaN层吸收光子但光生空穴未被有效利用的问题。本发明能够显著提高的器件顶部的光子的利用率，从而增加衬底的出光。

本发明授权具有双通道空穴注入功能的LED的芯片结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.具有双通道空穴注入功能的LED的芯片结构，其特征为，该结构从下至上顺序包括： 衬底、缓冲层、N型电子注入层；其中，N型电子注入层分为两部分，上层部分暴露，暴露部分的面积是下层的5％～90％，厚度是全部N型电子注入层的10％～80％； N型电子注入层的上层从下到上依次分布有多量子阱层、P型电子阻挡层、空穴传输层、顶部P接触层；顶部P接触层上是一个“三明治状”的夹层结构，即两个本征层以及夹持在其中的本征夹层；夹层结构的上面为顶部N接触层；顶部N接触层中部覆盖有欧姆电极；N型电子注入层的下层的暴露部分中部也设置有欧姆电极； 所述本征层材质为Alx6Iny6Ga1-x6-y6N，式中，0≤x6≤1，0≤y6≤1，0≤1-x6-y6，厚度为1～100nm，非故意掺杂； 所述本征夹层材质为Alx7Iny7Ga1-x7-y7N，式中，0≤x7≤x6，y6≤y7≤1，0≤1-x7-y7，厚度为1～100nm，非故意掺杂； 所述顶部N接触层材质为Alx8Iny8Ga1-x8-y8N，式中，0≤x8≤1，0≤y8≤1，0≤1-x8-y8，厚度为10～1000nm，材料掺杂为N型重掺杂，掺杂浓度为1018-1021cm-3。

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