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龙图腾网获悉杭州中欣晶圆半导体股份有限公司申请的专利用于提高硅片平坦度稳定性的调整反馈方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119871198B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411976487.7，技术领域涉及：B24B37/00；该发明授权用于提高硅片平坦度稳定性的调整反馈方法是由张文军设计研发完成，并于2024-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于提高硅片平坦度稳定性的调整反馈方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种用于提高硅片平坦度稳定性的调整反馈方法，所属硅片加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：抛光前通过设备对硅片进行测量，筛选出不符合要求硅片同时对厚度进行排序，接着采用双面抛光方式。第二步：抛光过程中需要对包括抛光液温度、抛光液Ph、抛光液流量、去除速率和定盘冷却温度的轻微波动进行控制。第三步：进行测量反馈调整，对平坦度水平波动和硅片厚度形貌进行监控调整。第四步：当硅片加工完进行平坦度测量时，设备通过设定目标值进行调整。第五步：通过软件分析，对测量硅片进行厚度形貌监控，确保加工出来硅片厚度形貌一致。具有操作便捷和运行稳定性好的特点。解决了加工中平坦度波动稳定性差的问题。

本发明授权用于提高硅片平坦度稳定性的调整反馈方法在权利要求书中公布了：1.一种用于提高硅片平坦度稳定性的调整反馈方法，其特征在于包括如下操作步骤： 第一步：抛光前翘曲管控及厚度控制，抛光前通过设备对硅片进行测量，筛选出不符合要求硅片同时对厚度进行排序，接着采用双面抛光方式进行加工； 第二步：抛光过程中需要对包括抛光液温度、抛光液pH、抛光液流量、去除速率和定盘冷却温度的轻微波动进行控制； 第三步：进行测量反馈调整，对平坦度水平波动和硅片厚度形貌进行监控调整； 第四步：当硅片加工完进行平坦度测量时，设备通过设定目标值进行调整； 第五步：通过软件分析，对测量硅片进行厚度形貌监控，确保加工出来硅片厚度形貌一致；对硅片进行不同径向区域划分分布为R1＝80，R2＝100，R3＝140；每个区域分为四个象限，每个象限厚度单独计算；当厚度形貌出现较大偏差时，区域厚度值则会波动； 区域计算，需满足X1等于A象限平均厚度，X2为B象限厚度均值，以此类推，u为整个硅片厚度均值；当厚度形貌满足上述测量时，则加工形貌稳定，当不满足时则表明厚度形貌出现较大偏差，参数需要调整。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人杭州中欣晶圆半导体股份有限公司，其通讯地址为：311201 浙江省杭州市钱塘新区东垦路888号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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