国科光芯金杏(北京)实验室科技有限公司刘敬伟获国家专利权
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龙图腾网获悉国科光芯金杏(北京)实验室科技有限公司申请的专利波导晶圆、复合调制器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119882282B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510124215.2，技术领域涉及：G02F1/03；该发明授权波导晶圆、复合调制器及其制备方法是由刘敬伟;蔡丰任;李春龙;李超;周良;张彦乐;花晓强设计研发完成，并于2025-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本波导晶圆、复合调制器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明实施例提供了一种波导晶圆、复合调制器及其制备方法，涉及电光调制器件技术领域，其中，该波导晶圆包括：SiO2热氧层在硅衬底的顶面；第一SiO2包层在SiO2热氧层的顶面；波导结构在第一SiO2包层中；金属电极在第一SiO2包层和SiO2热氧层中；键合界面位于波导结构上方第一SiO2包层的顶面，键合界面距离波导结构的顶面间的SiO2厚度为预设厚度，键合界面是处理为预设平整度后通过牺牲层的保护避免在刻蚀第二SiO2包层的过程中被过刻蚀，牺牲层在刻蚀完成第二SiO2包层后去除；第二SiO2包层刻蚀后均位于第一SiO2包层的顶面上除键合界面之外的区域处。该方案可以获得厚度可控、表面平整的键合界面。
本发明授权波导晶圆、复合调制器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种波导晶圆，其特征在于，包括： 硅衬底14； SiO2热氧层13，设置在所述硅衬底14的顶面上； 第一SiO2包层12，设置在所述SiO2热氧层13的顶面上； 波导结构10，设置在所述第一SiO2包层12中； 金属电极11，设置在所述第一SiO2包层12和SiO2热氧层13中； 键合界面17，位于所述波导结构10上方的所述第一SiO2包层12的顶面，其中，所述键合界面17距离所述波导结构10的顶面之间的SiO2厚度为预设厚度，所述键合界面17是处理为预设平整度后通过牺牲层15的保护避免在刻蚀第二SiO2包层16的过程中被过刻蚀，所述牺牲层15在刻蚀完成所述第二SiO2包层16之后去除； 所述第二SiO2包层16，位于所述第一SiO2包层12的顶面上除所述键合界面17之外的区域处。
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