中国人民解放军国防科技大学郑玮豪获国家专利权
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龙图腾网获悉中国人民解放军国防科技大学申请的专利一种PbI2单纳米片的制备方法、一种PbI2单纳米片和一种自旋激光器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119890907B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311225070.2，技术领域涉及：H01S3/16；该发明授权一种PbI2单纳米片的制备方法、一种PbI2单纳米片和一种自旋激光器是由郑玮豪;刘嘉豪设计研发完成，并于2023-09-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种PbI2单纳米片的制备方法、一种PbI2单纳米片和一种自旋激光器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种PbI2单纳米片的制备方法、一种PbI2单纳米片和一种自旋激光器，其中制备方法包括：S1、在基底上沉积生长多层过渡金属硫族化合物的膜层作为衬底，并将所述衬底快速转移至管式炉下游区域；S2、将PbI2粉末放置在管式炉中心区域；S3、将管式炉中心区域快速升温至380‑420℃并保温一段时间，同时将管式炉下游区域升温至210～240℃，冷却后得到PbI2单纳米片。本发明基于多层过渡金属硫族化合物原子级别平整的表面作为衬底去外延生长PbI2材料，能够制备得到高平整度PbI2单纳米片。基于该原子级别平整的PbI2单纳米片表面作为微腔，实现了低阈值的微尺寸的自旋激光器。
本发明授权一种PbI2单纳米片的制备方法、一种PbI2单纳米片和一种自旋激光器在权利要求书中公布了：1.一种PbI2单纳米片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、在基底上沉积生长多层过渡金属硫族化合物的膜层作为衬底，并将所述衬底快速转移至管式炉下游区域；其中，多层是指6-10层； S2、将PbI2粉末放置在管式炉中心区域； S3、将管式炉中心区域快速升温至380-420℃并保温一段时间，同时将管式炉下游区域升温至230～250℃，冷却后得到PbI2单纳米片；其中，快速升温是指升温速率为38-40℃min。
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