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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利ESD防护器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119894107B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510098861.6，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权ESD防护器件是由范炜盛设计研发完成，并于2025-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本ESD防护器件在说明书摘要公布了：本发明提供一种ESD防护器件，包括：衬底，在衬底上形成有外延层；呈环形的深沟槽隔离，深沟槽隔离由外延层的上表面延伸至衬底上；位于深沟槽隔离围成区域内的埋层，埋层位于衬底中且紧挨衬底的上表面；位于深沟槽隔离围成区域内的多个第一阱区，第一阱区间隔设置于外延层中且紧挨外延层的上表面，第一阱区通过深埋层与埋层相连；位于深沟槽隔离围成区域内的第二阱区，第二阱区位于外延层中且各第二阱区分别设置于两两相邻的第一阱区之间，其中，两两相邻的第一阱区和第二阱区在X轴的方向之间具有横向间距，第一阱区与埋层之间具有纵向间距，第二阱区在Y轴的两端与浅沟槽隔离的边缘相贴合。本发明能够在不改变器件面积的情况下提高ESD性能。

本发明授权ESD防护器件在权利要求书中公布了：1.一种ESD防护器件，其特征在于，至少包括： 衬底，在所述衬底上形成有外延层； 呈环形的深沟槽隔离，所述深沟槽隔离由所述外延层的上表面延伸至所述衬底上； 位于所述深沟槽隔离围成区域内的埋层，所述埋层位于所述衬底中且紧挨所述衬底的上表面； 位于所述深沟槽隔离围成区域内的多个第一阱区，所述第一阱区间隔设置于所述外延层中且紧挨所述外延层的上表面，所述第一阱区通过深埋层与所述埋层相连； 位于所述深沟槽隔离围成区域内的第二阱区，所述第二阱区位于所述外延层中且各所述第二阱区分别设置于两两相邻的所述第一阱区之间，其中，两两相邻的所述第一阱区和所述第二阱区在X轴的方向之间具有横向间距，所述第一阱区与所述埋层之间具有纵向间距，所述第二阱区在Y轴的两端与所述深沟槽隔离的边缘相贴合； 位于所述深沟槽隔离围成区域外的一呈环状的第三阱区，所述第三阱区位于所述外延层中； 多个第一浅沟槽隔离，所述第一浅沟槽隔离位于两两相邻的所述第一阱区和所述第二阱区之间的外延层中且紧挨所述外延层的上表面； 第二浅沟槽隔离，所述第二浅沟槽隔离位于所述第三阱区及其相邻的所述第一阱区之间； 第一重掺杂区和第二重掺杂区，所述第一重掺杂区位外侧的所述第一阱区中，所述第二重掺杂区位于所述第一至三阱区中，所述第一阱区中通过其上的所述第一、二重掺杂区或所述第二重掺杂区引出至所述外延层的上表面，所述第二、三阱区通过其上的所述第二重掺杂区引出。

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