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龙图腾网获悉厦门大学申请的专利光电化学激光直写刻蚀装置及无掩模刻蚀加工方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119897604B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510210808.0，技术领域涉及：B23K26/362；该发明授权光电化学激光直写刻蚀装置及无掩模刻蚀加工方法是由韩联欢;刘瑶;詹东平;袁文;陈佳威设计研发完成，并于2025-02-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本光电化学激光直写刻蚀装置及无掩模刻蚀加工方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种光电化学激光直写刻蚀装置及无掩模刻蚀加工方法，其中光电化学激光直写装置包括激光光源、声光调制器、反射镜、透镜、空间滤波器模组、滤光物镜、二向色镜‑分束镜、聚焦物镜；照明光源、分光镜、工业相机；运动控制器、运动样品台；运动样品台用于放置待刻蚀晶圆；激光光源产生的激光经由第一反射镜、第二反射镜转向后沿第二直线依次通过滤光物镜、空间滤波器模组后，激光经由第三反射镜、第四反射镜后发射至二向色镜‑分束镜，被反射的激光依次通过二向色镜‑分束镜、聚焦物镜，发射至运动样品台上的待刻蚀晶圆。本发明是一种无掩膜、高效率、低成本、操作简便的光电化学激光直写，可以实现对复杂自由曲面微光学元件的制造。

本发明授权光电化学激光直写刻蚀装置及无掩模刻蚀加工方法在权利要求书中公布了：1.一种无掩模刻蚀加工方法，其特征在于利用光电化学激光直写刻蚀装置，所述光电化学激光直写刻蚀装置，包括：激光加工光路、显微及监测观察光路、上位机控制系统、电动位移平台；其中： 所述激光加工光路包括激光光源1、声光调制器2、第一反射镜3、滤光物镜4、空间滤波器模组5、第二反射镜6、第三反射镜7、第四反射镜8、二向色镜-分束镜9、聚焦物镜10； 所述显微及监测观察光路包括照明光源11、第一透镜12、第二透镜13、分光镜14、第三透镜15、工业相机16； 所述电动位移平台包括运动控制器17、运动样品台18； 运动样品台用于放置电解池22、待刻蚀晶圆19，待刻蚀晶圆19置于电解池22底部； 所述控制系统包括上位机20、数据采集卡DAQ21； 所述激光光源1产生的激光经通过声光调制器2由反射镜3转向后沿第二直线依次通过滤光物镜4、空间滤波器模组5后，激光经由第二反射镜6、第三反射镜7、第四反射镜8后发射至二向色镜-分束镜9，被反射的激光依次通过二向色镜-分束镜9、聚焦物镜10，发射至运动样品台18上的待刻蚀晶圆19； 所述照明光源11产生的照明光依次通过第一透镜12、第二透镜13、分光镜14、二向色镜-分束镜9、聚焦物镜10发射至运动样品台18上的待刻蚀晶圆19上，被待刻蚀晶圆19反射的照明光依次通过聚焦物镜10、二向色镜-分束镜9、分光镜14、第三透镜15发射至工业相机16上； 所述上位机20连接数据采集卡DAQ21，激光光源1、声光调制器2、运动样品台18、工业相机16均与上位机20通讯连接； 所述的无掩模刻蚀加工方法包括以下步骤： 步骤一：启动激光光源1、声光调制器2、运动控制器17、工业相机16、上位机20； 步骤二：将待刻蚀晶圆19放置于光电化学体系电解池22底部，再将所述电解池22放置于X-Y方向水平运动样品台18上； 步骤三：向所述的电解池22中注入光电化学刻蚀液，使刻蚀液没过待刻蚀晶圆19; 步骤四：控制所述聚焦物镜10逼近待刻蚀晶圆19，通过上位机20观察工业相机16采集到的待刻蚀晶圆19表面图像的清晰度，在Z方向上调整所述聚焦物镜10与待刻蚀晶圆19之间的距离，直至图像清晰，完成聚焦； 步骤五：根据预加工自由曲面三维形貌数据xi，yi，zi及根据比例关系计算出加工数据xi，yi，Ei,其中Ei为待刻蚀晶圆19表面的聚焦激光光源1运动至xi，yi时对应的激光光源1功率控制电压信号；所述比例关系为预加工自由曲面三维形貌高度数据zi与激光光源1功率强度和刻蚀扫描速度v的比值的对应关系，用表达式进行计算，其中a1的取值范围为0.001~10，b1的取值范围为0.001~10；所述激光光源1功率强度I取值范围为10-4~106Wcm²；所述激光光源1功率强度对应的控制电压信号Ei之间的对应关系，用表达式进行计算，其中a2的取值范围为0.001~10，b2的取值范围为0.001~10； 步骤六：待刻蚀晶圆19表面的聚焦激光光源相对于待刻蚀晶圆19进行预设轨迹的扫描运动，根据所计算出的加工数据xi，yi，Ei实时调制激光光源1功率强度以及扫描运动轨迹，最终在待刻蚀晶圆19上加工出预定的自由曲面三维微纳结构。

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