杭州中欣晶圆半导体股份有限公司王方立获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州中欣晶圆半导体股份有限公司申请的专利增加潮湿环境吸盘布贴敷结构及其控制方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119897799B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411967444.2,技术领域涉及:B24B41/06;该发明授权增加潮湿环境吸盘布贴敷结构及其控制方法是由王方立设计研发完成,并于2024-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本增加潮湿环境吸盘布贴敷结构及其控制方法在说明书摘要公布了:本发明涉及一种增加潮湿环境吸盘布贴敷结构及其控制方法,所属硅片加工设备技术领域,包括吸盘,吸盘下端设有旋转轴,吸盘上设有中心孔,吸盘上端设有若干呈环形分布且与中心孔连通的吸附槽,旋转轴内设有与中心孔相连通的真空泵连通孔,吸盘上端设有硅片,硅片与吸盘间设有吸盘布。吸盘上端外圆设有支撑圈装配台阶,支撑圈装配台阶上设有与吸盘相嵌套的支撑圈,吸盘布、支撑圈、吸盘间形成边缘空腔,吸盘内设有若干与边缘空腔相连通的真空支路通道。具有结构简单、结构稳定性好和操作便捷的优点。通过边缘新增的真空空腔,固定吸盘布边缘,有效控制硅片破损的数量、吸盘布和抛光布的损失和稼动率的降低。
本发明授权增加潮湿环境吸盘布贴敷结构及其控制方法在权利要求书中公布了:1.一种增加潮湿环境吸盘布贴敷结构,其特征在于:包括吸盘7,所述的吸盘7下端设有旋转轴9,所述的吸盘7上设有中心孔12,所述的吸盘7上端设有若干呈环形分布且与中心孔12连通的吸附槽4,所述的旋转轴9内设有与中心孔12相连通的真空泵连通孔3,所述的吸盘7上端设有硅片1,所述的硅片1与吸盘7间设有吸盘布2;所述的吸盘7上端外圆设有支撑圈装配台阶11,所述的支撑圈装配台阶11上设有与吸盘7相嵌套的支撑圈6,所述的吸盘布2、支撑圈6、吸盘7间形成边缘空腔,所述的吸盘7内设有若干与边缘空腔相连通的真空支路通道5;在吸附真空时,检查贴敷效果并在边缘空腔内构建起初始真空。
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